Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

The atomic-level structure of bandgap engineered double perovskite alloys Cs2AgIn1-xFexCl6

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F21%3A00539522" target="_blank" >RIV/61389013:_____/21:00539522 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2021/SC/D0SC05264G#!divAbstract" target="_blank" >https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2021/SC/D0SC05264G#!divAbstract</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1039/D0SC05264G" target="_blank" >10.1039/D0SC05264G</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    The atomic-level structure of bandgap engineered double perovskite alloys Cs2AgIn1-xFexCl6

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Although lead-free halide double perovskites are considered as promising alternatives to lead halide perovskites for optoelectronic applications, state-of-the-art double perovskites are limited by their large bandgap. The doping/alloying strategy, key to bandgap engineering in traditional semiconductors, has also been employed to tune the bandgap of halide double perovskites. However, this strategy has yet to generate new double perovskites with suitable bandgaps for practical applications, partially due to the lack of fundamental understanding of how the doping/alloying affects the atomic-level structure. Here, we take the benchmark double perovskite Cs2AgInCl6 as an example to reveal the atomic-level structure of double perovskite alloys (DPAs) Cs2AgIn1−xFexCl6 (x = 0–1) by employing solid-state nuclear magnetic resonance (ssNMR). The presence of paramagnetic alloying ions (e.g. Fe3+ in this case) in double perovskites makes it possible to investigate the nuclear relaxation times, providing a straightforward approach to understand the distribution of paramagnetic alloying ions. Our results indicate that paramagnetic Fe3+ replaces diamagnetic In3+ in the Cs2AgInCl6 lattice with the formation of [FeCl6]3−·[AgCl6]5− domains, which show different sizes and distribution modes in different alloying ratios. This work provides new insights into the atomic-level structure of bandgap engineered DPAs, which is of critical significance in developing efficient optoelectronic/spintronic devices.

  • Název v anglickém jazyce

    The atomic-level structure of bandgap engineered double perovskite alloys Cs2AgIn1-xFexCl6

  • Popis výsledku anglicky

    Although lead-free halide double perovskites are considered as promising alternatives to lead halide perovskites for optoelectronic applications, state-of-the-art double perovskites are limited by their large bandgap. The doping/alloying strategy, key to bandgap engineering in traditional semiconductors, has also been employed to tune the bandgap of halide double perovskites. However, this strategy has yet to generate new double perovskites with suitable bandgaps for practical applications, partially due to the lack of fundamental understanding of how the doping/alloying affects the atomic-level structure. Here, we take the benchmark double perovskite Cs2AgInCl6 as an example to reveal the atomic-level structure of double perovskite alloys (DPAs) Cs2AgIn1−xFexCl6 (x = 0–1) by employing solid-state nuclear magnetic resonance (ssNMR). The presence of paramagnetic alloying ions (e.g. Fe3+ in this case) in double perovskites makes it possible to investigate the nuclear relaxation times, providing a straightforward approach to understand the distribution of paramagnetic alloying ions. Our results indicate that paramagnetic Fe3+ replaces diamagnetic In3+ in the Cs2AgInCl6 lattice with the formation of [FeCl6]3−·[AgCl6]5− domains, which show different sizes and distribution modes in different alloying ratios. This work provides new insights into the atomic-level structure of bandgap engineered DPAs, which is of critical significance in developing efficient optoelectronic/spintronic devices.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10406 - Analytical chemistry

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA19-05259S" target="_blank" >GA19-05259S: Kombinace pokročilé NMR spektroskopiie pevného stavu ultra-širokých čar s XRPD a výpočetní chemie pro zkoumaní organo-kovových a mřížkových materiálů</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2021

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Chemical Science

  • ISSN

    2041-6520

  • e-ISSN

    2041-6539

  • Svazek periodika

    12

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    1730-1735

  • Kód UT WoS článku

    000617028900013

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85101099766