Raman spectroscopy of isotopically labeled two-layer graphene
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989592%3A15310%2F12%3A33143099" target="_blank" >RIV/61989592:15310/12:33143099 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61388955:_____/12:00384802
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201200070" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201200070</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201200070" target="_blank" >10.1002/pssb.201200070</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Raman spectroscopy of isotopically labeled two-layer graphene
Popis výsledku v původním jazyce
A detailed understanding of graphene properties both in its neutral and doped states is an important prerequisite for applications of this new material in electronic devices. We used electrochemical doping to study the influence of charge on isotopicallylabeled two-layer graphene. No change of the G mode intensity was observed at electrode potentials between -1.5 and 1?V. At high positive electrode potentials (}1?V) we observed enhancement of the G mode intensity due to partial removal of interfering resonant transitions. Hence, we confirmed that in case of absence of the enhancement due to a specific orientation between the two layers the Raman spectroelectrochemistry of non-stacked two-layer graphene mimics that of one-layer graphene.
Název v anglickém jazyce
Raman spectroscopy of isotopically labeled two-layer graphene
Popis výsledku anglicky
A detailed understanding of graphene properties both in its neutral and doped states is an important prerequisite for applications of this new material in electronic devices. We used electrochemical doping to study the influence of charge on isotopicallylabeled two-layer graphene. No change of the G mode intensity was observed at electrode potentials between -1.5 and 1?V. At high positive electrode potentials (}1?V) we observed enhancement of the G mode intensity due to partial removal of interfering resonant transitions. Hence, we confirmed that in case of absence of the enhancement due to a specific orientation between the two layers the Raman spectroelectrochemistry of non-stacked two-layer graphene mimics that of one-layer graphene.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica Status Solidi B - Basic Solid State Physics
ISSN
0370-1972
e-ISSN
—
Svazek periodika
249
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
2500-2502
Kód UT WoS článku
000312215300047
EID výsledku v databázi Scopus
—