Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Raman spectroscopy of isotopically labeled two-layer graphene

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989592%3A15310%2F12%3A33143099" target="_blank" >RIV/61989592:15310/12:33143099 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/61388955:_____/12:00384802

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201200070" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201200070</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201200070" target="_blank" >10.1002/pssb.201200070</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Raman spectroscopy of isotopically labeled two-layer graphene

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A detailed understanding of graphene properties both in its neutral and doped states is an important prerequisite for applications of this new material in electronic devices. We used electrochemical doping to study the influence of charge on isotopicallylabeled two-layer graphene. No change of the G mode intensity was observed at electrode potentials between -1.5 and 1?V. At high positive electrode potentials (}1?V) we observed enhancement of the G mode intensity due to partial removal of interfering resonant transitions. Hence, we confirmed that in case of absence of the enhancement due to a specific orientation between the two layers the Raman spectroelectrochemistry of non-stacked two-layer graphene mimics that of one-layer graphene.

  • Název v anglickém jazyce

    Raman spectroscopy of isotopically labeled two-layer graphene

  • Popis výsledku anglicky

    A detailed understanding of graphene properties both in its neutral and doped states is an important prerequisite for applications of this new material in electronic devices. We used electrochemical doping to study the influence of charge on isotopicallylabeled two-layer graphene. No change of the G mode intensity was observed at electrode potentials between -1.5 and 1?V. At high positive electrode potentials (}1?V) we observed enhancement of the G mode intensity due to partial removal of interfering resonant transitions. Hence, we confirmed that in case of absence of the enhancement due to a specific orientation between the two layers the Raman spectroelectrochemistry of non-stacked two-layer graphene mimics that of one-layer graphene.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica Status Solidi B - Basic Solid State Physics

  • ISSN

    0370-1972

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    249

  • Číslo periodika v rámci svazku

    12

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    2500-2502

  • Kód UT WoS článku

    000312215300047

  • EID výsledku v databázi Scopus