Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989592%3A15310%2F17%3A73584775" target="_blank" >RIV/61989592:15310/17:73584775 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/306/306854.pdf" target="_blank" >http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/306/306854.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu

Popis výsledku v původním jazyce

Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu se provádí v zařízení, které je tvořeno vakuovou komorou (1), v jejímž vnitřním prostoru (101) jsou jednak protilehle umístěny zdroj (4) klastrů a držák (5) substrátu (6) propojený s bipolárním zdrojem (7) a jednak bočně zavedeny nízkotlaký depoziční zdroj (12) a přívod (10) pracovního plynu. Nanočástice vytvořené ve zdroji (4) klastrů jsou ve vnitřním prostoru (101) vakuové komory (1) směrovány do oblasti nízkotlakého vysokofrekvenčního výboje induktivně vázaného ve stejnosměrném magnetickém poli ECWR zdroje (9), kde jsou ionizovány a jsou urychleny směrem k povrchu substrátu (6), kam je v závislosti na polaritě klastrů přiváděno buď kladné, nebo záporné napětí a kde je vytvářena nanokompozitní vrstva z implantovaných klastrů a materiálů matrice odprášeného z nízkotlakého depozičního zdroje (12). Přitom je měřena poměrná frakce ionizovaných klastrů pomocí modifikovaného QCM (14). Podstatou vynálezu je rovněž konstrukce zařízení k provádění tohoto způsobu.

Název v anglickém jazyce

A method of forming thin deposition layers using low pressure plasma using and a device for performing this method

Popis výsledku anglicky

The method of forming thin deposition layers using low pressure plasma is carried out in a device consisting of the vacuum chamber (1) in whose interior space (101) there are, on one hand, located, opposite each other, the cluster source (4) and the substrate (6) holder (5) connected to the bipolar source (7) and, on the other hand, the low pressure deposition source (12) and the working gas supply (10) which are brought in laterally. The nanoparticles formed in the cluster source (4) are, in the interior space (101) of the vacuum chamber (1), directed into the region of the low pressure high-frequency discharge inductively coupled to the DC magnetic field of the ECWR source (9), where they are ionized and accelerated towards the surface of the substrate (6), where either positive or negative stress is applied depending on the polarity of the clusters and where a nanocomposite layer is formed from the implanted clusters and the matrix materials dusted off from the low-pressure deposition source (12). A proportional fraction of ionized clusters is measured using the modified QCM (14). Construction of a device for performing this method is also the essence of the invention.

Druh

P - Patent

CEP obor

—

OECD FORD obor

10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)

Projekt

<a href="/cs/project/TA04011156" target="_blank" >TA04011156: Funkční tenkovrstvé optické struktury.</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

306854

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

28. 6. 2017

Název vlastníka

Univerzita Palackého v Olomouci

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence