IR Laser CVD OF Nanodisperse Ge-Si-Sn Alloys Obtained by Dielectric Breakdown of GeH4/SiH4/SnH4 Mixtures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985858%3A_____%2F15%3A00447032" target="_blank" >RIV/67985858:_____/15:00447032 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61388980:_____/15:00447032 RIV/49777513:23640/15:43927599

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

IR Laser CVD OF Nanodisperse Ge-Si-Sn Alloys Obtained by Dielectric Breakdown of GeH4/SiH4/SnH4 Mixtures

Popis výsledku v původním jazyce

Nowadays, great attention is devoted to Ge-Si-Sn ternary system, because Si1-x-yGexSny provides the potential of band gap engineering and tuning of the optical properties. IR laser irradiation of equimolar gaseous GeH4 + SiH4 + SnH4 + Ar mixture results in simultaneous decomposition of all three compounds and it allows deposition of nanostructured solid film. Analysis of the films by FTIR and Raman spectroscopy, X-ray diffraction analysis and electron microscopy revealed crystalline nanobodies of pure beta-Sn and crystalline nanoobjects of Ge1-x-ySixSny embedded in an amorphous metastable Ge-Si-Sn alloy. This process allows co-decomposition of all silicon, germanium and tin hydrides which is caused by combination of infrared multiple photon dissociation of absorbing silane and currently proceeding LIDB. This is followed by intermixing/clustering of extruded metal atoms in the gas phase.

Název v anglickém jazyce

IR Laser CVD OF Nanodisperse Ge-Si-Sn Alloys Obtained by Dielectric Breakdown of GeH4/SiH4/SnH4 Mixtures

Popis výsledku anglicky

Nowadays, great attention is devoted to Ge-Si-Sn ternary system, because Si1-x-yGexSny provides the potential of band gap engineering and tuning of the optical properties. IR laser irradiation of equimolar gaseous GeH4 + SiH4 + SnH4 + Ar mixture results in simultaneous decomposition of all three compounds and it allows deposition of nanostructured solid film. Analysis of the films by FTIR and Raman spectroscopy, X-ray diffraction analysis and electron microscopy revealed crystalline nanobodies of pure beta-Sn and crystalline nanoobjects of Ge1-x-ySixSny embedded in an amorphous metastable Ge-Si-Sn alloy. This process allows co-decomposition of all silicon, germanium and tin hydrides which is caused by combination of infrared multiple photon dissociation of absorbing silane and currently proceeding LIDB. This is followed by intermixing/clustering of extruded metal atoms in the gas phase.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

NANOCON 2014, 6th International Conference

ISBN

978-80-87294-53-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

268-273

Název nakladatele

Tanger Ltd

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

5. 11. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000350636300045