Laserová chemická deposice nanodisperní Ge-Sn slitiny v dielektrickém průrazu plynné směsi SnH4/GeH4

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985858%3A_____%2F09%3A00322970" target="_blank" >RIV/67985858:_____/09:00322970 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61388980:_____/09:00322970
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Laser CVD of Nanodisperse Ge-Sn Alloys Obtained by Dielectric Breakdown of SnH4/GeH4 Mixtures
Popis výsledku v původním jazyce
TEA CO2 laser-induced dielectric breakdown in equimolar mixture of gaseous stannane and germane in Ar allows chemical vapor deposition of nanostructured Ge/Sn films revealed as nanoregions of crystalline Sn and Sn-rich Ge/Sn alloys surrounded by amorphous Ge/Sn phase.
Název v anglickém jazyce
Laser CVD of Nanodisperse Ge-Sn Alloys Obtained by Dielectric Breakdown of SnH4/GeH4 Mixtures
Popis výsledku anglicky
TEA CO2 laser-induced dielectric breakdown in equimolar mixture of gaseous stannane and germane in Ar allows chemical vapor deposition of nanostructured Ge/Sn films revealed as nanoregions of crystalline Sn and Sn-rich Ge/Sn alloys surrounded by amorphous Ge/Sn phase.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CH - Jaderná a kvantová chemie, fotochemie
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/LC523" target="_blank" >LC523: Perspektivní anorganické materiály</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)