Characterization of thin MnSi and MnGe Layers Prepared by Reactive UV Pulsed Laser Deposition.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985858%3A_____%2F16%3A00465309" target="_blank" >RIV/67985858:_____/16:00465309 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21340/16:00309402

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.10.035" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.10.035</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.10.035" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2016.10.035</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Characterization of thin MnSi and MnGe Layers Prepared by Reactive UV Pulsed Laser Deposition.

Popis výsledku v původním jazyce

Reactive pulsed laser deposition is a technique suitable for producing homogenous thin layers of silicon or germanium with high concentration of embedded manganese atoms. Linear calibration of EDS (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) was utilized for an elemental analysis of thin layers. MnSi and MnGe (manganese-silicon and manganese-germanium) layers containing non-oxidized Mn were obtained for Mn molar concentration in the range from 15 to 50%. Electron diffraction showed an amorphous character of MnSi layers. MnGe layers contained two different types of nanoparticles incorporated inside an amorphous matrix. The layers were semiconducting with resistivities from 103 to 105 Ωm.

Název v anglickém jazyce

Characterization of thin MnSi and MnGe Layers Prepared by Reactive UV Pulsed Laser Deposition.

Popis výsledku anglicky

Reactive pulsed laser deposition is a technique suitable for producing homogenous thin layers of silicon or germanium with high concentration of embedded manganese atoms. Linear calibration of EDS (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) was utilized for an elemental analysis of thin layers. MnSi and MnGe (manganese-silicon and manganese-germanium) layers containing non-oxidized Mn were obtained for Mn molar concentration in the range from 15 to 50%. Electron diffraction showed an amorphous character of MnSi layers. MnGe layers contained two different types of nanoparticles incorporated inside an amorphous matrix. The layers were semiconducting with resistivities from 103 to 105 Ωm.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GC15-08842J" target="_blank" >GC15-08842J: "Silicen na mědi": monoatomární povrchová vrstva křemíku se silicenovým uspořádáním na Cu(3+x)Si připravená chemickým a mechanickým odlučováním</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

619

Číslo periodika v rámci svazku

NOV 30

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

73-80

Kód UT WoS článku

000389610900011

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84993326648