Cu-Si nanoobjects prepared by CVD on Cu/Cu5Si-substrates using various precursors (SiH4, EtSiH3, BuSiH3) with added H2 or air

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985858%3A_____%2F17%3A00479312" target="_blank" >RIV/67985858:_____/17:00479312 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/17:00479312

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.02.019" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.02.019</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.02.019" target="_blank" >10.1016/j.jcrysgro.2017.02.019</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Cu-Si nanoobjects prepared by CVD on Cu/Cu5Si-substrates using various precursors (SiH4, EtSiH3, BuSiH3) with added H2 or air

Popis výsledku v původním jazyce

The CVD method was employed to synthesize nanoobjects of Cu-Si phases at temperature of about 500 °C. Cu/Cu5Si-substrates and various Si-containing precursors (SiH4, EtSiH3, BuSiH3) with/without added H2 or air were used. Nanoobjects of various morphologies (nanoplatelets of eta'-Cu3Si, nanoribbons and nanorods of eta''-Cu3Si, and nanowires of gamma-Cu83Si17) were obtained depending on the experimental conditions, mainly type and pressure of precursor. A mixture of Si-containing precursor and H2/air promotes the growth of nanoobjects compared to using the pure Si-containing precursor. With incre asing pressure of precursors the morphology changes from 1D (nanowires) to 2D (nanoribbons, nanoplatelets). Nanoobjects grow via the non-catalytic VS mechanism.

Název v anglickém jazyce

Cu-Si nanoobjects prepared by CVD on Cu/Cu5Si-substrates using various precursors (SiH4, EtSiH3, BuSiH3) with added H2 or air

Popis výsledku anglicky

The CVD method was employed to synthesize nanoobjects of Cu-Si phases at temperature of about 500 °C. Cu/Cu5Si-substrates and various Si-containing precursors (SiH4, EtSiH3, BuSiH3) with/without added H2 or air were used. Nanoobjects of various morphologies (nanoplatelets of eta'-Cu3Si, nanoribbons and nanorods of eta''-Cu3Si, and nanowires of gamma-Cu83Si17) were obtained depending on the experimental conditions, mainly type and pressure of precursor. A mixture of Si-containing precursor and H2/air promotes the growth of nanoobjects compared to using the pure Si-containing precursor. With incre asing pressure of precursors the morphology changes from 1D (nanowires) to 2D (nanoribbons, nanoplatelets). Nanoobjects grow via the non-catalytic VS mechanism.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10403 - Physical chemistry

Projekt

<a href="/cs/project/GC15-08842J" target="_blank" >GC15-08842J: "Silicen na mědi": monoatomární povrchová vrstva křemíku se silicenovým uspořádáním na Cu(3+x)Si připravená chemickým a mechanickým odlučováním</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Crystal Growth

ISSN

0022-0248

e-ISSN

—

Svazek periodika

465

Číslo periodika v rámci svazku

May

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

6-11

Kód UT WoS článku

000398875000002

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85014146269