Cu-Si nanoobjects prepared by CVD on Cu/Cu5Si-substrates using various precursors (SiH4, EtSiH3, BuSiH3) with added H2 or air
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985858%3A_____%2F17%3A00479312" target="_blank" >RIV/67985858:_____/17:00479312 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/17:00479312
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.02.019" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.02.019</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.02.019" target="_blank" >10.1016/j.jcrysgro.2017.02.019</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Cu-Si nanoobjects prepared by CVD on Cu/Cu5Si-substrates using various precursors (SiH4, EtSiH3, BuSiH3) with added H2 or air
Popis výsledku v původním jazyce
The CVD method was employed to synthesize nanoobjects of Cu-Si phases at temperature of about 500 °C. Cu/Cu5Si-substrates and various Si-containing precursors (SiH4, EtSiH3, BuSiH3) with/without added H2 or air were used. Nanoobjects of various morphologies (nanoplatelets of eta'-Cu3Si, nanoribbons and nanorods of eta''-Cu3Si, and nanowires of gamma-Cu83Si17) were obtained depending on the experimental conditions, mainly type and pressure of precursor. A mixture of Si-containing precursor and H2/air promotes the growth of nanoobjects compared to using the pure Si-containing precursor. With incre asing pressure of precursors the morphology changes from 1D (nanowires) to 2D (nanoribbons, nanoplatelets). Nanoobjects grow via the non-catalytic VS mechanism.
Název v anglickém jazyce
Cu-Si nanoobjects prepared by CVD on Cu/Cu5Si-substrates using various precursors (SiH4, EtSiH3, BuSiH3) with added H2 or air
Popis výsledku anglicky
The CVD method was employed to synthesize nanoobjects of Cu-Si phases at temperature of about 500 °C. Cu/Cu5Si-substrates and various Si-containing precursors (SiH4, EtSiH3, BuSiH3) with/without added H2 or air were used. Nanoobjects of various morphologies (nanoplatelets of eta'-Cu3Si, nanoribbons and nanorods of eta''-Cu3Si, and nanowires of gamma-Cu83Si17) were obtained depending on the experimental conditions, mainly type and pressure of precursor. A mixture of Si-containing precursor and H2/air promotes the growth of nanoobjects compared to using the pure Si-containing precursor. With incre asing pressure of precursors the morphology changes from 1D (nanowires) to 2D (nanoribbons, nanoplatelets). Nanoobjects grow via the non-catalytic VS mechanism.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10403 - Physical chemistry
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GC15-08842J" target="_blank" >GC15-08842J: "Silicen na mědi": monoatomární povrchová vrstva křemíku se silicenovým uspořádáním na Cu(3+x)Si připravená chemickým a mechanickým odlučováním</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
e-ISSN
—
Svazek periodika
465
Číslo periodika v rámci svazku
May
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
6-11
Kód UT WoS článku
000398875000002
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85014146269