Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

High-aspect-ratio and high-flatness Cu3(SiGe) nanoplatelets prepared by chemical vapor deposition

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00398417" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00398417 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21340/13:00216405 RIV/61388980:_____/13:00398417 RIV/67985858:_____/13:00398417

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2013.7200" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2013.7200</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2013.7200" target="_blank" >10.1166/jnn.2013.7200</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High-aspect-ratio and high-flatness Cu3(SiGe) nanoplatelets prepared by chemical vapor deposition

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Cu3(SiGe) nanoplatelets were synthesized by low-pressure chemical vapor deposition of a SiH3C2H5/Ge2(CH3)6 mixture on a Cu-substrate at 500 C, total pressure of 110-115 Pa, and Ge/Si molar ratio of 22. The nanoplatelets with composition Cu76Si15Ge12 areformed by the ?-phase, and they are flattened perpendicular to the [001] direction. Their lateral dimensions reach several tens of micrometers in size, but they are only about 50 nm thick. Their surface is extremely flat, with measured root mean square roughness Rq below 0.2 nm. The nanoplatelets grow via the non-catalytic vapor-solid mechanism and surface growth. In addition, nanowires and nanorods of various Cu-Si-Ge alloys were also obtained depending on the experimental conditions. Morphology of theresulting Cu-Si-Ge nanoobjects is very sensitive to the experimental parameters.

  • Název v anglickém jazyce

    High-aspect-ratio and high-flatness Cu3(SiGe) nanoplatelets prepared by chemical vapor deposition

  • Popis výsledku anglicky

    Cu3(SiGe) nanoplatelets were synthesized by low-pressure chemical vapor deposition of a SiH3C2H5/Ge2(CH3)6 mixture on a Cu-substrate at 500 C, total pressure of 110-115 Pa, and Ge/Si molar ratio of 22. The nanoplatelets with composition Cu76Si15Ge12 areformed by the ?-phase, and they are flattened perpendicular to the [001] direction. Their lateral dimensions reach several tens of micrometers in size, but they are only about 50 nm thick. Their surface is extremely flat, with measured root mean square roughness Rq below 0.2 nm. The nanoplatelets grow via the non-catalytic vapor-solid mechanism and surface growth. In addition, nanowires and nanorods of various Cu-Si-Ge alloys were also obtained depending on the experimental conditions. Morphology of theresulting Cu-Si-Ge nanoobjects is very sensitive to the experimental parameters.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology

  • ISSN

    1533-4880

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    13

  • Číslo periodika v rámci svazku

    6

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

    4302-4310

  • Kód UT WoS článku

    000320205400087

  • EID výsledku v databázi Scopus