Possibilities of laser recrystallization and laser ablation in thin-layer structures based on a-Si:H

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985858%3A_____%2F20%3A00540759" target="_blank" >RIV/67985858:_____/20:00540759 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/20:00540759

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Possibilities of laser recrystallization and laser ablation in thin-layer structures based on a-Si:H

Popis výsledku v původním jazyce

Our goal is to enhance optoelectronic properties and light conversion efficiency in hydrogenated silicon thin films by in-situ embedded nanoparticles using radio frequency chemical vapor deposition (RF CVD) combined with other methods such as molecular beam epitaxy, magnetron sputtering, Langmuir/Blodgett method, reactive deposition epitaxy, laser surface treatment, laser ablation, reactive laser ablation, vacuum evaporation and plasma treatment.

Název v anglickém jazyce

Possibilities of laser recrystallization and laser ablation in thin-layer structures based on a-Si:H

Popis výsledku anglicky

Our goal is to enhance optoelectronic properties and light conversion efficiency in hydrogenated silicon thin films by in-situ embedded nanoparticles using radio frequency chemical vapor deposition (RF CVD) combined with other methods such as molecular beam epitaxy, magnetron sputtering, Langmuir/Blodgett method, reactive deposition epitaxy, laser surface treatment, laser ablation, reactive laser ablation, vacuum evaporation and plasma treatment.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů