Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Role of .tau.-elements in the growth of InP layers for radiation detectors.

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F01%3A13010077" target="_blank" >RIV/67985882:_____/01:13010077 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Role of .tau.-elements in the growth of InP layers for radiation detectors.

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We report the effect of .tau.-elements (Er, Ho, Nd, Pr, Tb and Yb) during the LPE on the growth process and structural, electrical and optical properties of InP thick epitaxial layers for applications in ionizing radiation detector structures. Room temperature Hall effect measurements revealed p-type conductivity Tb, Pr or Yb admixture exceeding certain limiting concentration. These layers could readily be used for the preparation of .alfa.-particles detector, when detection will be mediated via the depletion layer of high quality Schottky contact.

  • Název v anglickém jazyce

    Role of .tau.-elements in the growth of InP layers for radiation detectors.

  • Popis výsledku anglicky

    We report the effect of .tau.-elements (Er, Ho, Nd, Pr, Tb and Yb) during the LPE on the growth process and structural, electrical and optical properties of InP thick epitaxial layers for applications in ionizing radiation detector structures. Room temperature Hall effect measurements revealed p-type conductivity Tb, Pr or Yb admixture exceeding certain limiting concentration. These layers could readily be used for the preparation of .alfa.-particles detector, when detection will be mediated via the depletion layer of high quality Schottky contact.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2001

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Crystal Research and Technology

  • ISSN

    0232-1300

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    36

  • Číslo periodika v rámci svazku

    8/10

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

    979-987

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus