Vliv vzácných zemin na vlastnosti vrstev na bázi InP

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F05%3A00021048" target="_blank" >RIV/67985882:_____/05:00021048 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Impact of rare earth elements on the properties of InP-based epitaxial layers
Popis výsledku v původním jazyce
The addition of all studied rare earth elements (Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb a Lu) leads to the reduction of structural defect densities by one and a half order of magnitude and undesirable electrically active impurities were reduced by up tothree orders of magnitude. PL spectra confirmed the high purity and structural quality of grown InP layers. The addition of Ce and Yb leads to the introduction into the host lattice.
Název v anglickém jazyce
Impact of rare earth elements on the properties of InP-based epitaxial layers
Popis výsledku anglicky
The addition of all studied rare earth elements (Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb a Lu) leads to the reduction of structural defect densities by one and a half order of magnitude and undesirable electrically active impurities were reduced by up tothree orders of magnitude. PL spectra confirmed the high purity and structural quality of grown InP layers. The addition of Ce and Yb leads to the introduction into the host lattice.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F03%2F0379" target="_blank" >GA102/03/0379: Využití prvků vzácných zemin při přípravě polovodičových materiálů na bázi InP a PbI2 pro detekci ionizujícího záření</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)