InP epitaxní vrstvy typu p připravené za přítomnosti prvků vzácných zemin pro detekci radiačního záření

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F07%3A00086200" target="_blank" >RIV/67985882:_____/07:00086200 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

InP p-type epitaxial layers grown with the addition of rare-earth elements for use in radiation detection

Popis výsledku v původním jazyce

InP layers were grown by LPE on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with Ce, Pr, Tm, Tm2O3 and Yb additions to the growth melt. Layers were examined by LT photoluminescence spectroscopy, C-V and temperature dependent Hall measurements. The highest purifying effect has been found for Pr and Tm2O3, where the impurity concentration was decreased by up to three orders of magnitude. Ce and Yb were found as dominant acceptor impurities responsible for n to p type electrical conductivity change.

Název v anglickém jazyce

InP p-type epitaxial layers grown with the addition of rare-earth elements for use in radiation detection

Popis výsledku anglicky

InP layers were grown by LPE on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with Ce, Pr, Tm, Tm2O3 and Yb additions to the growth melt. Layers were examined by LT photoluminescence spectroscopy, C-V and temperature dependent Hall measurements. The highest purifying effect has been found for Pr and Tm2O3, where the impurity concentration was decreased by up to three orders of magnitude. Ce and Yb were found as dominant acceptor impurities responsible for n to p type electrical conductivity change.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0153" target="_blank" >GA102/06/0153: Využití specifických vlastností vzácných zemin při přípravě detektorových struktur na bázi InP</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

ISSN

1454-4164

e-ISSN

—

Svazek periodika

9

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

RO - Rumunsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

1221-1226

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—