Příprava InP vrstev typu p pro detekci záření

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F05%3A00020801" target="_blank" >RIV/67985882:_____/05:00020801 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Preparation of p-type InP layers for detection of radiation

Popis výsledku v původním jazyce

High purity and Ce doped InP layers were grown on InP:Sn and InP:Fe substrates using liquid phase epitaxy with Tm2O3, Tm and Ce admixtures. All three types of epitaxial layers exhibit n to p type conductivity crossover at certain level RE element of RE-dioxide admixture. Ce was found to be the dominant acceptor impurity responsible for n to p conductivity type conversion in layers doped with Ce. Tm seems to be a good candidate for preparation of p-type InP based detector structures with a Schottky barier.

Název v anglickém jazyce

Preparation of p-type InP layers for detection of radiation

Popis výsledku anglicky

High purity and Ce doped InP layers were grown on InP:Sn and InP:Fe substrates using liquid phase epitaxy with Tm2O3, Tm and Ce admixtures. All three types of epitaxial layers exhibit n to p type conductivity crossover at certain level RE element of RE-dioxide admixture. Ce was found to be the dominant acceptor impurity responsible for n to p conductivity type conversion in layers doped with Ce. Tm seems to be a good candidate for preparation of p-type InP based detector structures with a Schottky barier.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Crystal Growth

ISSN

0022-0248

e-ISSN

—

Svazek periodika

275

Číslo periodika v rámci svazku

1/2

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

"e959"-"e963"

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—