Optické vlastnosti InP vrstev připravených s přidáním Ce, Tm a Lu do růstové taveniny

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F05%3A00000072" target="_blank" >RIV/67985882:_____/05:00000072 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optical properties of InP layers prepared with the addition of Ce, Tm and Lu in the growth melt

Popis výsledku v původním jazyce

InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and lutetium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spetroscopy andC-V measurements. Layers prepared with the addition of Ce and Tm exhibit the change of electrical conductivity from n to p, while those grown with Lu admixture remain n-type. Ce has been found to be incorporated into the InP lattice.

Název v anglickém jazyce

Optical properties of InP layers prepared with the addition of Ce, Tm and Lu in the growth melt

Popis výsledku anglicky

InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and lutetium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spetroscopy andC-V measurements. Layers prepared with the addition of Ce and Tm exhibit the change of electrical conductivity from n to p, while those grown with Lu admixture remain n-type. Ce has been found to be incorporated into the InP lattice.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Crystal Research and Technology

ISSN

0232-1300

e-ISSN

—

Svazek periodika

40

Číslo periodika v rámci svazku

4/5

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

498-502

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—