Influence of Yb AND Yb2O3 addition on the properties of InP layers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F08%3A00341490" target="_blank" >RIV/67985882:_____/08:00341490 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Influence of Yb AND Yb2O3 addition on the properties of InP layers
Popis výsledku v původním jazyce
The influence of Yb and Yb2O3 additions into the LPE growth melt on the properties of InP epitaxial layers is reported. We have concentrated on the investigation of gettering and/or doping effects. Efficient gettering was confirmed for both Yb and Yb2O3addition, the incorporation of Yb3+ into the InP lattice was confirmed only for Yb addition. Layers grown with Yb addition exhibited n -> p conductivity conversion at certain Yb concentration. Dominant acceptor, responsible for n -> p conductivity conversion was identified as the isoelectronic Yb impurity on the In site. Layers grown with Yb2O3 admixture always show n-type electrical conductivity.
Název v anglickém jazyce
Influence of Yb AND Yb2O3 addition on the properties of InP layers
Popis výsledku anglicky
The influence of Yb and Yb2O3 additions into the LPE growth melt on the properties of InP epitaxial layers is reported. We have concentrated on the investigation of gettering and/or doping effects. Efficient gettering was confirmed for both Yb and Yb2O3addition, the incorporation of Yb3+ into the InP lattice was confirmed only for Yb addition. Layers grown with Yb addition exhibited n -> p conductivity conversion at certain Yb concentration. Dominant acceptor, responsible for n -> p conductivity conversion was identified as the isoelectronic Yb impurity on the In site. Layers grown with Yb2O3 admixture always show n-type electrical conductivity.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
ISSN
1454-4164
e-ISSN
—
Svazek periodika
10
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
RO - Rumunsko
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000262022500024
EID výsledku v databázi Scopus
—