Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Influence of Yb and Yb2O3 on the properties of InP layers

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F08%3A00308798" target="_blank" >RIV/67985882:_____/08:00308798 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Influence of Yb and Yb2O3 on the properties of InP layers

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The investigation of gettering and/or doping efficiency of Yb and Yb2O3 added into the growth process of InP epitaxial layers. Layers were examined by SIMS, low temperature PL spectroscopy, C-V and temperature dependent Hall measurements. The gettering was confirmed for both Yb and Yb2O3; doping effect, i.e. incorporation of Yb3+ into InP lattice was confirmed only for Yb addition. Dominant acceptor responsible for n-p conductivity conversion was identified as isoelectronic Yb impurity on the In site.

  • Název v anglickém jazyce

    Influence of Yb and Yb2O3 on the properties of InP layers

  • Popis výsledku anglicky

    The investigation of gettering and/or doping efficiency of Yb and Yb2O3 added into the growth process of InP epitaxial layers. Layers were examined by SIMS, low temperature PL spectroscopy, C-V and temperature dependent Hall measurements. The gettering was confirmed for both Yb and Yb2O3; doping effect, i.e. incorporation of Yb3+ into InP lattice was confirmed only for Yb addition. Dominant acceptor responsible for n-p conductivity conversion was identified as isoelectronic Yb impurity on the In site.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    IPRM 2008 - Proceedings of the 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference

  • ISBN

    978-1-4244-2258-6

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Institute of Electrical and Electronic Engineers

  • Místo vydání

    Piscataway

  • Místo konání akce

    Versailles

  • Datum konání akce

    25. 5. 2008

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000267695700100