Influence of Yb and Yb2O3 on the properties of InP layers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F08%3A00308798" target="_blank" >RIV/67985882:_____/08:00308798 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Influence of Yb and Yb2O3 on the properties of InP layers
Popis výsledku v původním jazyce
The investigation of gettering and/or doping efficiency of Yb and Yb2O3 added into the growth process of InP epitaxial layers. Layers were examined by SIMS, low temperature PL spectroscopy, C-V and temperature dependent Hall measurements. The gettering was confirmed for both Yb and Yb2O3; doping effect, i.e. incorporation of Yb3+ into InP lattice was confirmed only for Yb addition. Dominant acceptor responsible for n-p conductivity conversion was identified as isoelectronic Yb impurity on the In site.
Název v anglickém jazyce
Influence of Yb and Yb2O3 on the properties of InP layers
Popis výsledku anglicky
The investigation of gettering and/or doping efficiency of Yb and Yb2O3 added into the growth process of InP epitaxial layers. Layers were examined by SIMS, low temperature PL spectroscopy, C-V and temperature dependent Hall measurements. The gettering was confirmed for both Yb and Yb2O3; doping effect, i.e. incorporation of Yb3+ into InP lattice was confirmed only for Yb addition. Dominant acceptor responsible for n-p conductivity conversion was identified as isoelectronic Yb impurity on the In site.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
IPRM 2008 - Proceedings of the 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference
ISBN
978-1-4244-2258-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Institute of Electrical and Electronic Engineers
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Versailles
Datum konání akce
25. 5. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000267695700100