Preparation of InP-based semiconductor materials with low density of defects: effect of Nd, Tb and Yb addition.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F02%3A13020081" target="_blank" >RIV/67985882:_____/02:13020081 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Preparation of InP-based semiconductor materials with low density of defects: effect of Nd, Tb and Yb addition.

Popis výsledku v původním jazyce

Specific features of some Rare Earth Elements (REE= Nd, Ho or Tb) are exploited to improve structural, optical and electrical properties of InP-based layer compounds for applications in ionizing radiation detector structures. InP layers were grown by Liquid Phase Epitaxy on (100)-oriented single crystal InP substrates with individual REE addition to the melt. The density of structural defects was reduced by more than a half order of magnitude, free carrier concentration was reduced effectively by up tofour orders of magnitude, photoluminescence peaks were substantially narrowed and fine spectral features were resolved.

Název v anglickém jazyce

Preparation of InP-based semiconductor materials with low density of defects: effect of Nd, Tb and Yb addition.

Popis výsledku anglicky

Specific features of some Rare Earth Elements (REE= Nd, Ho or Tb) are exploited to improve structural, optical and electrical properties of InP-based layer compounds for applications in ionizing radiation detector structures. InP layers were grown by Liquid Phase Epitaxy on (100)-oriented single crystal InP substrates with individual REE addition to the melt. The density of structural defects was reduced by more than a half order of magnitude, free carrier concentration was reduced effectively by up tofour orders of magnitude, photoluminescence peaks were substantially narrowed and fine spectral features were resolved.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Materials Science and Engineering - B. Solid State Materials for Advanced Technology

ISSN

0921-5107

e-ISSN

—

Svazek periodika

B91/92

Číslo periodika v rámci svazku

N/A

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

407-411

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—