Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Některé vlastnosti velmi tenkých Bi2Te3 vrstev připravených laserovou ablací

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F03%3A00105870" target="_blank" >RIV/67985882:_____/03:00105870 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Some properties of very thin Bi2Te3 layers prepared by laser ablation

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The 60nm thick layers of Bi 2Te3 were prepared by laser ablation in vacuum using the KrF excimer laser. The energy of laser varied from 300 mJ - 680 mJ and the laser energy density from 2 J/cm2 - 10 J/cm2. The substrate temperature varied for different depositions in the inteup.val 20oC - 480oC. The influence of preparation conditions on Hall mobility, concentration of charged carriers and conductivity at room temperature is presented. Information about morphology and composition of prepared layers is given.

  • Název v anglickém jazyce

    Some properties of very thin Bi2Te3 layers prepared by laser ablation

  • Popis výsledku anglicky

    The 60nm thick layers of Bi 2Te3 were prepared by laser ablation in vacuum using the KrF excimer laser. The energy of laser varied from 300 mJ - 680 mJ and the laser energy density from 2 J/cm2 - 10 J/cm2. The substrate temperature varied for different depositions in the inteup.val 20oC - 480oC. The influence of preparation conditions on Hall mobility, concentration of charged carriers and conductivity at room temperature is presented. Information about morphology and composition of prepared layers is given.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA202%2F02%2F0098" target="_blank" >GA202/02/0098: Studium velmi tenkých Bi2Te3 vrstev připravených laserovou ablací a jejich modifikace pomocí rastrovacího tunelového mikroskopu (STM)</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2003

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002

  • ISBN

    3-527-40436-8

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    867-871

  • Název nakladatele

    WileyVCH Verlag

  • Místo vydání

    Weinheim

  • Místo konání akce

    Budapest

  • Datum konání akce

    26. 5. 2002

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku