Některé vlastnosti velmi tenkých Bi2Te3 vrstev připravených laserovou ablací
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F03%3A00105870" target="_blank" >RIV/67985882:_____/03:00105870 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Some properties of very thin Bi2Te3 layers prepared by laser ablation
Popis výsledku v původním jazyce
The 60nm thick layers of Bi 2Te3 were prepared by laser ablation in vacuum using the KrF excimer laser. The energy of laser varied from 300 mJ - 680 mJ and the laser energy density from 2 J/cm2 - 10 J/cm2. The substrate temperature varied for different depositions in the inteup.val 20oC - 480oC. The influence of preparation conditions on Hall mobility, concentration of charged carriers and conductivity at room temperature is presented. Information about morphology and composition of prepared layers is given.
Název v anglickém jazyce
Some properties of very thin Bi2Te3 layers prepared by laser ablation
Popis výsledku anglicky
The 60nm thick layers of Bi 2Te3 were prepared by laser ablation in vacuum using the KrF excimer laser. The energy of laser varied from 300 mJ - 680 mJ and the laser energy density from 2 J/cm2 - 10 J/cm2. The substrate temperature varied for different depositions in the inteup.val 20oC - 480oC. The influence of preparation conditions on Hall mobility, concentration of charged carriers and conductivity at room temperature is presented. Information about morphology and composition of prepared layers is given.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F02%2F0098" target="_blank" >GA202/02/0098: Studium velmi tenkých Bi2Te3 vrstev připravených laserovou ablací a jejich modifikace pomocí rastrovacího tunelového mikroskopu (STM)</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002
ISBN
3-527-40436-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
867-871
Název nakladatele
WileyVCH Verlag
Místo vydání
Weinheim
Místo konání akce
Budapest
Datum konání akce
26. 5. 2002
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—