Pure and intentionally doped indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F03%3A13030025" target="_blank" >RIV/67985882:_____/03:13030025 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Pure and intentionally doped indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures.

Popis výsledku v původním jazyce

InP crystals were grown by Czochralski method from undoped InP melt or doped with Ca, Zn, Fe or Mn or co-doped with Ti and Zn. Crystals were annealed in phosphorus ambient for 95 h at 950 o C and cooled slowly. Conversion to the semi-insulating state wasstudies by Hall measurements and low temperature optical absorption spectroscopy. The undoped samples with electron concentration below 1 x 10 16 cm -3 became semiinsulating due to decreasing content of shallow donors and increasing content of the active Fe.

Název v anglickém jazyce

Pure and intentionally doped indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures.

Popis výsledku anglicky

InP crystals were grown by Czochralski method from undoped InP melt or doped with Ca, Zn, Fe or Mn or co-doped with Ti and Zn. Crystals were annealed in phosphorus ambient for 95 h at 950 o C and cooled slowly. Conversion to the semi-insulating state wasstudies by Hall measurements and low temperature optical absorption spectroscopy. The undoped samples with electron concentration below 1 x 10 16 cm -3 became semiinsulating due to decreasing content of shallow donors and increasing content of the active Fe.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Svazek periodika

18

Číslo periodika v rámci svazku

11

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

938-944

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—