Evaluation of semi-insulating Ti-doped and Mn-doped InP for radiation detection.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F01%3A13010117" target="_blank" >RIV/67985882:_____/01:13010117 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Evaluation of semi-insulating Ti-doped and Mn-doped InP for radiation detection.

Popis výsledku v původním jazyce

Undoped InP and doped with Fe, co-doped with Zn and Ti and doped with Mn were grown. Hall measurements and DLTS were used for characterization. Two electron traps were found in undoped InP whose concentration was suppressed in Mn doped InP. Binding energies of Fe, Ti and Mn deep level impurities were determined from temperature dependent Hall measurements. Resistivity of InP:Ti at the lowered temperature 230 K (10 6 .OMEGA.m) and small hole capture rate of Ti makes this material suitable for radiation detection.

Název v anglickém jazyce

Evaluation of semi-insulating Ti-doped and Mn-doped InP for radiation detection.

Popis výsledku anglicky

Undoped InP and doped with Fe, co-doped with Zn and Ti and doped with Mn were grown. Hall measurements and DLTS were used for characterization. Two electron traps were found in undoped InP whose concentration was suppressed in Mn doped InP. Binding energies of Fe, Ti and Mn deep level impurities were determined from temperature dependent Hall measurements. Resistivity of InP:Ti at the lowered temperature 230 K (10 6 .OMEGA.m) and small hole capture rate of Ti makes this material suitable for radiation detection.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Svazek periodika

16

Číslo periodika v rámci svazku

12

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

1002-1007

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—