Výzkum semiizolačního InP kodopovaného Ti a různými akceptory pro užití k detekci RTG záření
Popis výsledku
Destičky semiizolačního InP byly dlouhodobě žíhány při vysoké teplotě a pomalu zchlazeny. Vzorky byly charakterizovány měřením teplotně závislé rezistivity a Hallova koeficientu. Bylo zjištěno, že vazební energie Ti v semiizolačních krystalech InP kodopovoných Ti a Zn se liší od energie Ti v semiizolačních InP kodopovaných Ti a Mn, což ukazuje, Ti může v InP zaujímat různé polohy. Hodnoty rezistivity žíhaného semiizolačního InP kodopovaného Ti a Mn mohou být dobře použitelné pro RTG detekci.
Klíčová slova
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Investigation of semi-insulating InP co-doped with Ti and various acceptors for use in X-ray detection
Popis výsledku v původním jazyce
Wafers in semi-insulating InP were annealed for a long time at a high temperature and cooled slowly. The samples were characterized by temperature dependent resistivity and Hall coefficient measurements. The binding energies of Ti semi-insulating InP co-doped with Ti and Zn and co-doped with Ti and Mn were found to differ which shows that Ti may occupy different sites in InP. The value of resistivity of the annealed semi-insulating InP co-doped with Ti and Mn could be well useable in X-ray detection.
Název v anglickém jazyce
Investigation of semi-insulating InP co-doped with Ti and various acceptors for use in X-ray detection
Popis výsledku anglicky
Wafers in semi-insulating InP were annealed for a long time at a high temperature and cooled slowly. The samples were characterized by temperature dependent resistivity and Hall coefficient measurements. The binding energies of Ti semi-insulating InP co-doped with Ti and Zn and co-doped with Ti and Mn were found to differ which shows that Ti may occupy different sites in InP. The value of resistivity of the annealed semi-insulating InP co-doped with Ti and Mn could be well useable in X-ray detection.
Klasifikace
Druh
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Crystal Research and Technology
ISSN
0232-1300
e-ISSN
—
Svazek periodika
40
Číslo periodika v rámci svazku
4/5
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
400-404
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—
Druh výsledku
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
Rok uplatnění
2005