Určení profilu nosičů na zešikmené GaAs struktuře pomocí PCIV metody

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105980" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00105980 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method
Popis výsledku v původním jazyce
Determination of free charge profiles of GaAs on a bevelled surface by PCIV is presented. The bevelled structure were prepared by chemical etching. The results are compared with the electrochemical capacitance-voltage technique.
Název v anglickém jazyce
Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method
Popis výsledku anglicky
Determination of free charge profiles of GaAs on a bevelled surface by PCIV is presented. The bevelled structure were prepared by chemical etching. The results are compared with the electrochemical capacitance-voltage technique.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/KSK1010104" target="_blank" >KSK1010104: Fyzika kondenzovaných systémů a materiálový výzkum</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)