Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Dopant enhanced neutralization of low-energy Li+ scattered from Si(111)

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F12%3A00377426" target="_blank" >RIV/67985882:_____/12:00377426 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://prb.aps.org/abstract/PRB/v85/i16/e165307" target="_blank" >http://prb.aps.org/abstract/PRB/v85/i16/e165307</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.85.165307" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.85.165307</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Dopant enhanced neutralization of low-energy Li+ scattered from Si(111)

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The neutralization of 3 keV Li+ ions scattered from Si(111) is measured as a function of doping density, dopant type, and hydrogen coverage. When the surfaces are saturated with hydrogen to unpin the Fermi level, the neutral fractions decrease for lightly doped samples but become anomalously large for highly doped n-type Si. A simple model that includes the many-body band-gap narrowing effect predicts the neutralization to good accuracy using a tunneling mechanism similar to the free-electron gas jellium model normally employed for ion/metal interactions, but excluding levels in the gap.

  • Název v anglickém jazyce

    Dopant enhanced neutralization of low-energy Li+ scattered from Si(111)

  • Popis výsledku anglicky

    The neutralization of 3 keV Li+ ions scattered from Si(111) is measured as a function of doping density, dopant type, and hydrogen coverage. When the surfaces are saturated with hydrogen to unpin the Fermi level, the neutral fractions decrease for lightly doped samples but become anomalously large for highly doped n-type Si. A simple model that includes the many-body band-gap narrowing effect predicts the neutralization to good accuracy using a tunneling mechanism similar to the free-electron gas jellium model normally employed for ion/metal interactions, but excluding levels in the gap.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physical Review. B

  • ISSN

    1098-0121

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    85

  • Číslo periodika v rámci svazku

    16

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    1653071-1653075

  • Kód UT WoS článku

    000302697900005

  • EID výsledku v databázi Scopus