Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Electrical Characterization of Graphite/InP Schottky Diodes by I-V-T and C-V Methods

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F18%3A00499935" target="_blank" >RIV/67985882:_____/18:00499935 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-018-6123-y" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s11664-018-6123-y</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-018-6123-y" target="_blank" >10.1007/s11664-018-6123-y</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Electrical Characterization of Graphite/InP Schottky Diodes by I-V-T and C-V Methods

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A rectifying junction was prepared by casting a drop of colloidal graphite on the surface of an InP substrate. The electrophysical properties of graphite/InP junctions were investigated in a wide temperature range. Temperature-dependent I-V characteristics of the graphite/InP junctions are explained by the thermionic emission mechanism. The Schottky barrier height (SBH) and the ideality factor were found to be 0.9 eV and 1.47, respectively. The large value of the SBH and its weak temperature dependence are explained by lateral homogeneity of the junction, which is related to the structure of the graphite layer. The moderate disagreement between the current-voltage and capacitance-voltage measurements is attributed to the formation of interfacial native oxide film on the InP surface

  • Název v anglickém jazyce

    Electrical Characterization of Graphite/InP Schottky Diodes by I-V-T and C-V Methods

  • Popis výsledku anglicky

    A rectifying junction was prepared by casting a drop of colloidal graphite on the surface of an InP substrate. The electrophysical properties of graphite/InP junctions were investigated in a wide temperature range. Temperature-dependent I-V characteristics of the graphite/InP junctions are explained by the thermionic emission mechanism. The Schottky barrier height (SBH) and the ideality factor were found to be 0.9 eV and 1.47, respectively. The large value of the SBH and its weak temperature dependence are explained by lateral homogeneity of the junction, which is related to the structure of the graphite layer. The moderate disagreement between the current-voltage and capacitance-voltage measurements is attributed to the formation of interfacial native oxide film on the InP surface

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA17-00546S" target="_blank" >GA17-00546S: Studium optoelektronických vlastností hybridních heterostruktur.</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Electronic Materials

  • ISSN

    0361-5235

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    47

  • Číslo periodika v rámci svazku

    9

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    4950-4954

  • Kód UT WoS článku

    000458770800004

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85042230066