Electrical Characterization of Graphite/InP Schottky Diodes by I-V-T and C-V Methods
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F18%3A00499935" target="_blank" >RIV/67985882:_____/18:00499935 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-018-6123-y" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s11664-018-6123-y</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-018-6123-y" target="_blank" >10.1007/s11664-018-6123-y</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electrical Characterization of Graphite/InP Schottky Diodes by I-V-T and C-V Methods
Popis výsledku v původním jazyce
A rectifying junction was prepared by casting a drop of colloidal graphite on the surface of an InP substrate. The electrophysical properties of graphite/InP junctions were investigated in a wide temperature range. Temperature-dependent I-V characteristics of the graphite/InP junctions are explained by the thermionic emission mechanism. The Schottky barrier height (SBH) and the ideality factor were found to be 0.9 eV and 1.47, respectively. The large value of the SBH and its weak temperature dependence are explained by lateral homogeneity of the junction, which is related to the structure of the graphite layer. The moderate disagreement between the current-voltage and capacitance-voltage measurements is attributed to the formation of interfacial native oxide film on the InP surface
Název v anglickém jazyce
Electrical Characterization of Graphite/InP Schottky Diodes by I-V-T and C-V Methods
Popis výsledku anglicky
A rectifying junction was prepared by casting a drop of colloidal graphite on the surface of an InP substrate. The electrophysical properties of graphite/InP junctions were investigated in a wide temperature range. Temperature-dependent I-V characteristics of the graphite/InP junctions are explained by the thermionic emission mechanism. The Schottky barrier height (SBH) and the ideality factor were found to be 0.9 eV and 1.47, respectively. The large value of the SBH and its weak temperature dependence are explained by lateral homogeneity of the junction, which is related to the structure of the graphite layer. The moderate disagreement between the current-voltage and capacitance-voltage measurements is attributed to the formation of interfacial native oxide film on the InP surface
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA17-00546S" target="_blank" >GA17-00546S: Studium optoelektronických vlastností hybridních heterostruktur.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Electronic Materials
ISSN
0361-5235
e-ISSN
—
Svazek periodika
47
Číslo periodika v rámci svazku
9
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
4950-4954
Kód UT WoS článku
000458770800004
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85042230066