Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F13%3A00395132" target="_blank" >RIV/67985882:_____/13:00395132 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/28/5/055009" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/28/5/055009</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/28/5/055009" target="_blank" >10.1088/0268-1242/28/5/055009</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes
Popis výsledku v původním jazyce
The electrical properties of highly rectifying semimetal-graphite Schottky contacts fabricated by printing colloid graphite on n-type InP and GaN are investigated as a function of annealing temperature by current-voltage and capacitance-voltage techniques. As-deposited Schottky diodes exhibit excellent current-voltage rectifying characteristics of 7.5 107 and 1.9 1011 with Schottky barrier height of 1.13 and 1.29 eV at room temperature for InP and GaN, respectively. The key aspect of this technique, compared with conventional vacuum evaporation, is low deposition energy process, leaving the surface undisturbed.
Název v anglickém jazyce
Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes
Popis výsledku anglicky
The electrical properties of highly rectifying semimetal-graphite Schottky contacts fabricated by printing colloid graphite on n-type InP and GaN are investigated as a function of annealing temperature by current-voltage and capacitance-voltage techniques. As-deposited Schottky diodes exhibit excellent current-voltage rectifying characteristics of 7.5 107 and 1.9 1011 with Schottky barrier height of 1.13 and 1.29 eV at room temperature for InP and GaN, respectively. The key aspect of this technique, compared with conventional vacuum evaporation, is low deposition energy process, leaving the surface undisturbed.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LD12014" target="_blank" >LD12014: Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Semiconductor Science and Technology
ISSN
0268-1242
e-ISSN
—
Svazek periodika
28
Číslo periodika v rámci svazku
5
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000317746100012
EID výsledku v databázi Scopus
—