Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Study of Schottky Barriers Prepared by Deposition of Colloidal Graphite and Pt Nanoparticles on InP and GaN

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F11%3A00374734" target="_blank" >RIV/67985882:_____/11:00374734 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Study of Schottky Barriers Prepared by Deposition of Colloidal Graphite and Pt Nanoparticles on InP and GaN

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Schottky barriers were prepared by deposition of colloidal graphite on polished surfaces of InP or GaN single crystals. sparsely covered with Pt nanoparticles deposited electrophoretically. Diodes with the Schottky barriers were studied by current voltage characteristics. The diodes showed high rectification ratio and high Schottky barrier heights indicating negligible Fermi level pinning. By testing with gas consisting of 0.1 % of hydrogen and rest nitrogen, the current showed high sensitivity to hydrogen.

  • Název v anglickém jazyce

    Study of Schottky Barriers Prepared by Deposition of Colloidal Graphite and Pt Nanoparticles on InP and GaN

  • Popis výsledku anglicky

    Schottky barriers were prepared by deposition of colloidal graphite on polished surfaces of InP or GaN single crystals. sparsely covered with Pt nanoparticles deposited electrophoretically. Diodes with the Schottky barriers were studied by current voltage characteristics. The diodes showed high rectification ratio and high Schottky barrier heights indicating negligible Fermi level pinning. By testing with gas consisting of 0.1 % of hydrogen and rest nitrogen, the current showed high sensitivity to hydrogen.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS (ICTON

  • ISBN

    978-1-4577-0880-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    "C651"-"C654"

  • Název nakladatele

    IEEE

  • Místo vydání

    NEW YORK

  • Místo konání akce

    Stockholm

  • Datum konání akce

    26. 6. 2011

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000297859300068