Study of Schottky Barriers Prepared by Deposition of Colloidal Graphite and Pt Nanoparticles on InP and GaN
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F11%3A00374734" target="_blank" >RIV/67985882:_____/11:00374734 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Study of Schottky Barriers Prepared by Deposition of Colloidal Graphite and Pt Nanoparticles on InP and GaN
Popis výsledku v původním jazyce
Schottky barriers were prepared by deposition of colloidal graphite on polished surfaces of InP or GaN single crystals. sparsely covered with Pt nanoparticles deposited electrophoretically. Diodes with the Schottky barriers were studied by current voltage characteristics. The diodes showed high rectification ratio and high Schottky barrier heights indicating negligible Fermi level pinning. By testing with gas consisting of 0.1 % of hydrogen and rest nitrogen, the current showed high sensitivity to hydrogen.
Název v anglickém jazyce
Study of Schottky Barriers Prepared by Deposition of Colloidal Graphite and Pt Nanoparticles on InP and GaN
Popis výsledku anglicky
Schottky barriers were prepared by deposition of colloidal graphite on polished surfaces of InP or GaN single crystals. sparsely covered with Pt nanoparticles deposited electrophoretically. Diodes with the Schottky barriers were studied by current voltage characteristics. The diodes showed high rectification ratio and high Schottky barrier heights indicating negligible Fermi level pinning. By testing with gas consisting of 0.1 % of hydrogen and rest nitrogen, the current showed high sensitivity to hydrogen.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS (ICTON
ISBN
978-1-4577-0880-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
"C651"-"C654"
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
NEW YORK
Místo konání akce
Stockholm
Datum konání akce
26. 6. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000297859300068