High sensitivity graphite-Pd (Pt) nanoparticles-InP Schottky diode hydrogen sensor
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F11%3A00437407" target="_blank" >RIV/67985882:_____/11:00437407 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High sensitivity graphite-Pd (Pt) nanoparticles-InP Schottky diode hydrogen sensor
Popis výsledku v původním jazyce
Hydrogen sensing characteristics of graphite-Pd(Pt)lInP Schottky diodes fabricated by electrophoretic deposition technique were investigated. The proposed hydrogen sensors showed relatively high sensitivity response of 10 6 to 1000 ppm H 2 in N 2. The barrier height reduction due to hydrogen exposure was 0.35 eV and 0.37 eV for Pd and Pt based Schottky diodes respectively. Temperature dependence of the sensitivity, the barrier height variation, the ideality factor and the barrier height itself were studied. Pt based Schottky diodes show better sensitivity and shorter recovery times compared to Pd ones
Název v anglickém jazyce
High sensitivity graphite-Pd (Pt) nanoparticles-InP Schottky diode hydrogen sensor
Popis výsledku anglicky
Hydrogen sensing characteristics of graphite-Pd(Pt)lInP Schottky diodes fabricated by electrophoretic deposition technique were investigated. The proposed hydrogen sensors showed relatively high sensitivity response of 10 6 to 1000 ppm H 2 in N 2. The barrier height reduction due to hydrogen exposure was 0.35 eV and 0.37 eV for Pd and Pt based Schottky diodes respectively. Temperature dependence of the sensitivity, the barrier height variation, the ideality factor and the barrier height itself were studied. Pt based Schottky diodes show better sensitivity and shorter recovery times compared to Pd ones
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (CSW/IPRM 2011)
ISBN
978-1-4577-1753-6
ISSN
1092-8669
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
68-71
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Berlin
Místo konání akce
Berlin
Datum konání akce
22. 5. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—