Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

High sensitivity graphite-Pd (Pt) nanoparticles-InP Schottky diode hydrogen sensor

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F11%3A00437407" target="_blank" >RIV/67985882:_____/11:00437407 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High sensitivity graphite-Pd (Pt) nanoparticles-InP Schottky diode hydrogen sensor

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Hydrogen sensing characteristics of graphite-Pd(Pt)lInP Schottky diodes fabricated by electrophoretic deposition technique were investigated. The proposed hydrogen sensors showed relatively high sensitivity response of 10 6 to 1000 ppm H 2 in N 2. The barrier height reduction due to hydrogen exposure was 0.35 eV and 0.37 eV for Pd and Pt based Schottky diodes respectively. Temperature dependence of the sensitivity, the barrier height variation, the ideality factor and the barrier height itself were studied. Pt based Schottky diodes show better sensitivity and shorter recovery times compared to Pd ones

  • Název v anglickém jazyce

    High sensitivity graphite-Pd (Pt) nanoparticles-InP Schottky diode hydrogen sensor

  • Popis výsledku anglicky

    Hydrogen sensing characteristics of graphite-Pd(Pt)lInP Schottky diodes fabricated by electrophoretic deposition technique were investigated. The proposed hydrogen sensors showed relatively high sensitivity response of 10 6 to 1000 ppm H 2 in N 2. The barrier height reduction due to hydrogen exposure was 0.35 eV and 0.37 eV for Pd and Pt based Schottky diodes respectively. Temperature dependence of the sensitivity, the barrier height variation, the ideality factor and the barrier height itself were studied. Pt based Schottky diodes show better sensitivity and shorter recovery times compared to Pd ones

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (CSW/IPRM 2011)

  • ISBN

    978-1-4577-1753-6

  • ISSN

    1092-8669

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    68-71

  • Název nakladatele

    IEEE

  • Místo vydání

    Berlin

  • Místo konání akce

    Berlin

  • Datum konání akce

    22. 5. 2011

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku