High sensitivity hydrogen sensors based on GaN

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F12%3A00382126" target="_blank" >RIV/67985882:_____/12:00382126 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

High sensitivity hydrogen sensors based on GaN

Popis výsledku v původním jazyce

High quality graphite based Schottky diodes are presented. Schottky barriers were prepared by mechanical deposition of colloidal graphite on GaN substrates uncoverd and partly covered with Pt nanoparticles deposited by electrophoretic techniques. The electron transport for both diodes can be well described by thermionic emission. Hydrogen sensing characteristics of graphite-Pt/GaN Schottky diodes were investigated. Temperature dependence of the sensitivity, the barrier height variation, the ideality factor and the barrier height itself were studied. The proposed hydrogen sensor responds well to various hydrogen containing gases. The room-temperature sensitivity response of 2x107 was obtained in 1000 ppm H2/N2ambient.

Název v anglickém jazyce

High sensitivity hydrogen sensors based on GaN

Popis výsledku anglicky

High quality graphite based Schottky diodes are presented. Schottky barriers were prepared by mechanical deposition of colloidal graphite on GaN substrates uncoverd and partly covered with Pt nanoparticles deposited by electrophoretic techniques. The electron transport for both diodes can be well described by thermionic emission. Hydrogen sensing characteristics of graphite-Pt/GaN Schottky diodes were investigated. Temperature dependence of the sensitivity, the barrier height variation, the ideality factor and the barrier height itself were studied. The proposed hydrogen sensor responds well to various hydrogen containing gases. The room-temperature sensitivity response of 2x107 was obtained in 1000 ppm H2/N2ambient.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/OC10021" target="_blank" >OC10021: Výzkum kovových nanočástic elektroforeticky deponovaných na polovodičové sloučeniny III-V-N</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica status solidi C

ISSN

1610-1642

e-ISSN

—

Svazek periodika

7

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

1661-1663

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—