Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Schottky bariers on InP and GaN made by deposition of colloidal graphite and Pd, Pt or bimetal Pd/Pt nanoparticles for H2-gas detection

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F12%3A00387460" target="_blank" >RIV/67985882:_____/12:00387460 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2012.02.023" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2012.02.023</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2012.02.023" target="_blank" >10.1016/j.snb.2012.02.023</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Schottky bariers on InP and GaN made by deposition of colloidal graphite and Pd, Pt or bimetal Pd/Pt nanoparticles for H2-gas detection

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Schottky barriers on III-V compound semiconductors are still not well explored up to now. There were already reported Pd and Pt Schottky diode gas sensors using InP or GaN materials. However, reported sensing performances are surprisingly different. Thus, proper understanding of sensing mechanism is indispensable. We report on InP and GaN Schottky diode hydrogen sensors with low-leakage currents and high sensitivity, made by deposition of colloidal graphite and electrophoresis of Pd, Pt nebo bimetal Pd/Pt nanoparticles.

  • Název v anglickém jazyce

    Schottky bariers on InP and GaN made by deposition of colloidal graphite and Pd, Pt or bimetal Pd/Pt nanoparticles for H2-gas detection

  • Popis výsledku anglicky

    Schottky barriers on III-V compound semiconductors are still not well explored up to now. There were already reported Pd and Pt Schottky diode gas sensors using InP or GaN materials. However, reported sensing performances are surprisingly different. Thus, proper understanding of sensing mechanism is indispensable. We report on InP and GaN Schottky diode hydrogen sensors with low-leakage currents and high sensitivity, made by deposition of colloidal graphite and electrophoresis of Pd, Pt nebo bimetal Pd/Pt nanoparticles.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Sensors and Actuators B - Chemical

  • ISSN

    0925-4005

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    165

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    104-109

  • Kód UT WoS článku

    000302669600018

  • EID výsledku v databázi Scopus