Graphite/InP and graphite/GaN Schottky barrier hydrogen sensors with electrophoretically deposited Pd or Pt nanoparticles

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F12%3A00387292" target="_blank" >RIV/67985882:_____/12:00387292 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Graphite/InP and graphite/GaN Schottky barrier hydrogen sensors with electrophoretically deposited Pd or Pt nanoparticles

Popis výsledku v původním jazyce

By applying colloidal graphite, we prepared Schottky contacts on polished n-InP and on n-GaN wafers partly covered electrophoretically with nanoparticles of catalytic metals Pd or Pt. The nanoparticles were imaged by SEM, AFM and STM. Schottky barrier heights were virtually equal to energy of vacuum level alignments between InP or GaP and Pd or Pt (Schottky-Mott limits) - a good precondition for high sensitivity to hydrogen. Indeed, high sensitivity to hydrogen, with the detection limit below 1 ppm wasproved

Název v anglickém jazyce

Graphite/InP and graphite/GaN Schottky barrier hydrogen sensors with electrophoretically deposited Pd or Pt nanoparticles

Popis výsledku anglicky

By applying colloidal graphite, we prepared Schottky contacts on polished n-InP and on n-GaN wafers partly covered electrophoretically with nanoparticles of catalytic metals Pd or Pt. The nanoparticles were imaged by SEM, AFM and STM. Schottky barrier heights were virtually equal to energy of vacuum level alignments between InP or GaP and Pd or Pt (Schottky-Mott limits) - a good precondition for high sensitivity to hydrogen. Indeed, high sensitivity to hydrogen, with the detection limit below 1 ppm wasproved

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/OC10021" target="_blank" >OC10021: Výzkum kovových nanočástic elektroforeticky deponovaných na polovodičové sloučeniny III-V-N</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nanoscale Research Letters

ISSN

1931-7573

e-ISSN

—

Svazek periodika

7

Číslo periodika v rámci svazku

415

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

4151-4156

Kód UT WoS článku

000309664500001

EID výsledku v databázi Scopus

—