Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

EPD of Reverse Micelle Pd and Pt Nanoparticles onto InP and GaN for High-Response Hydrogen Sensors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F12%3A00374462" target="_blank" >RIV/67985882:_____/12:00374462 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21340/12:00369352

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    EPD of Reverse Micelle Pd and Pt Nanoparticles onto InP and GaN for High-Response Hydrogen Sensors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The Pd, Pt and Pd/Pt nanoparticles (NPs) were electrophoretically EPD deposited onto InP and GaN crystal. Porous Schottky diodes were made by printing colloid graphite on the NPs deposited surface. Diodes showed current-voltage curves of excellent rectification and barrier height values close to Schottky-Mott limit, with low Fermi level pinning. They were measured in the gas-flow of H2/N2 blend with H2 from 1000 to 1 ppm. Current change ratio 106 and 10 were achieved with 1000 and 1 ppm H2/N2, respectively.

  • Název v anglickém jazyce

    EPD of Reverse Micelle Pd and Pt Nanoparticles onto InP and GaN for High-Response Hydrogen Sensors

  • Popis výsledku anglicky

    The Pd, Pt and Pd/Pt nanoparticles (NPs) were electrophoretically EPD deposited onto InP and GaN crystal. Porous Schottky diodes were made by printing colloid graphite on the NPs deposited surface. Diodes showed current-voltage curves of excellent rectification and barrier height values close to Schottky-Mott limit, with low Fermi level pinning. They were measured in the gas-flow of H2/N2 blend with H2 from 1000 to 1 ppm. Current change ratio 106 and 10 were achieved with 1000 and 1 ppm H2/N2, respectively.

Klasifikace

  • Druh

    C - Kapitola v odborné knize

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název knihy nebo sborníku

    Electrophoretic Deposition: Fundamentals and Applications IV

  • ISBN

    978-3-03785-379-5

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    169-174

  • Počet stran knihy

    260

  • Název nakladatele

    Trans Tech Publications inc., Publishers in Science and Engineering

  • Místo vydání

    Durnten-Zurich

  • Kód UT WoS kapitoly