Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Hydrogen sensors made on InP or GaN with electrophoretically deposited Pd or Pt nanoparticles

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F12%3A00387579" target="_blank" >RIV/67985882:_____/12:00387579 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21340/12:00369485

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Hydrogen sensors made on InP or GaN with electrophoretically deposited Pd or Pt nanoparticles

  • Popis výsledku v původním jazyce

    High quality Schottky barriers were prepared by applying colloidal graphite on polished wafers of n-type InP or n-type GaN partly covered with palladium or platinum nanoparticles (NPs). The NPs were deposited by electrophoresis from colloid solutions prepared by reverse micelle technique. Schottky diodes showed current-voltage characteristics of high rectification and high barrier. Under the best conditions found heretofore the detection limits of Schottky diodes were below 1 ppm of hydrogen in nitrogen.

  • Název v anglickém jazyce

    Hydrogen sensors made on InP or GaN with electrophoretically deposited Pd or Pt nanoparticles

  • Popis výsledku anglicky

    High quality Schottky barriers were prepared by applying colloidal graphite on polished wafers of n-type InP or n-type GaN partly covered with palladium or platinum nanoparticles (NPs). The NPs were deposited by electrophoresis from colloid solutions prepared by reverse micelle technique. Schottky diodes showed current-voltage characteristics of high rectification and high barrier. Under the best conditions found heretofore the detection limits of Schottky diodes were below 1 ppm of hydrogen in nitrogen.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/OC10021" target="_blank" >OC10021: Výzkum kovových nanočástic elektroforeticky deponovaných na polovodičové sloučeniny III-V-N</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Acta Physica Polonica. A

  • ISSN

    0587-4246

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    122

  • Číslo periodika v rámci svazku

    3

  • Stát vydavatele periodika

    PL - Polská republika

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    572-575

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus