DEPOSITION OF PVP-PROTECTED PLATINUM NANOPARTICLES ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES FOR HYDROGEN SENSING

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F15%3A00457757" target="_blank" >RIV/67985882:_____/15:00457757 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

DEPOSITION OF PVP-PROTECTED PLATINUM NANOPARTICLES ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES FOR HYDROGEN SENSING

Popis výsledku v původním jazyce

High quality Schottky diode hydrogen sensors were prepared by the deposition of colloidal graphite on n-type InP substrates partly covered with PVP-protected Pt nanoparticles (NPs). A sub-monolayer of the Pt NPs was created by simple evaporation of the solvent in which Pt NPs were dispersed. The Pt NPs serve to dissociate hydrogen molecules into atomic hydrogen, which is absorbed at the metal-semiconductor interface. Hydrogen absorption leads to the formation of the dipole layer, which changes the Schottky barrier height and results in the increase of both forward and reverse current. The proposed hydrogen sensor showed high sensitivity response of similar to 10(6) to 1000 ppm H-2 in N-2 at room temperature

Název v anglickém jazyce

DEPOSITION OF PVP-PROTECTED PLATINUM NANOPARTICLES ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES FOR HYDROGEN SENSING

Popis výsledku anglicky

High quality Schottky diode hydrogen sensors were prepared by the deposition of colloidal graphite on n-type InP substrates partly covered with PVP-protected Pt nanoparticles (NPs). A sub-monolayer of the Pt NPs was created by simple evaporation of the solvent in which Pt NPs were dispersed. The Pt NPs serve to dissociate hydrogen molecules into atomic hydrogen, which is absorbed at the metal-semiconductor interface. Hydrogen absorption leads to the formation of the dipole layer, which changes the Schottky barrier height and results in the increase of both forward and reverse current. The proposed hydrogen sensor showed high sensitivity response of similar to 10(6) to 1000 ppm H-2 in N-2 at room temperature

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

NANOCON 2014. 6th International conference proceedings

ISBN

978-80-87294-53-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

231-234

Název nakladatele

TANGER

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

5. 11. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000350636300038