Detection of hydrogen at room temperature with graphite-Pt nanoparticles/Si Schottky diodes

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F13%3A00426906" target="_blank" >RIV/67985882:_____/13:00426906 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/SMICND.2013.6688078" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/SMICND.2013.6688078</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/SMICND.2013.6688078" target="_blank" >10.1109/SMICND.2013.6688078</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Detection of hydrogen at room temperature with graphite-Pt nanoparticles/Si Schottky diodes
Popis výsledku v původním jazyce
Hydrogen sensing characteristics of graphite based Schottky diodes fabricated by printing colloidal graphite on bare n-type Si substrates and those partly covered with Pt nanoparticles (NPs) was investigated. Decoration of Si substrates with Pt NPs was performed by electrophoretic deposition. We demonstrate that the post-deposition thermal treatment can extensively influence the morphology of the deposited Pt NPs as well as the sensing properties of graphite-Pt NPs/Si Schottky diodes
Název v anglickém jazyce
Detection of hydrogen at room temperature with graphite-Pt nanoparticles/Si Schottky diodes
Popis výsledku anglicky
Hydrogen sensing characteristics of graphite based Schottky diodes fabricated by printing colloidal graphite on bare n-type Si substrates and those partly covered with Pt nanoparticles (NPs) was investigated. Decoration of Si substrates with Pt NPs was performed by electrophoretic deposition. We demonstrate that the post-deposition thermal treatment can extensively influence the morphology of the deposited Pt NPs as well as the sensing properties of graphite-Pt NPs/Si Schottky diodes

Projekt
<a href="/cs/project/LD12014" target="_blank" >LD12014: Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of the International Semiconductor Conference 2013, CAS
ISBN
978-1-4673-5670-1
ISSN
1545-827X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
23-26
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
New York
Místo konání akce
Sinaia
Datum konání akce
14. 10. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000330180800004

Podobné výsledky(10)