Hydrogen detection with semimetal graphite-ZnO (InP,GaN) Schottky diodes
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F13%3A00396812" target="_blank" >RIV/67985882:_____/13:00396812 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.543.159" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.543.159</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.543.159" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/KEM.543.159</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Hydrogen detection with semimetal graphite-ZnO (InP,GaN) Schottky diodes
Popis výsledku v původním jazyce
We investigated Schottky diode hydrogen sensors prepared by printing colloidal graphite on ZnO, GaN, and InP substrates partly covered with Pt nanoparticles. A layer of Pt nanoparticles deposited by in-situ pulsed electrophoretic deposition from isooctane colloidal solutions was inserted between the semimetal graphite and the semiconductor surface to dissociate hydrogen molecules. Schottky diodes were investigated by the measurement of current-voltage characteristics and further tested for their sensitivity to hydrogen in a cell with a through-flow gas system. The sensing elements were sensitive to gas mixture with a low hydrogen concentration down to 1 ppm
Název v anglickém jazyce
Hydrogen detection with semimetal graphite-ZnO (InP,GaN) Schottky diodes
Popis výsledku anglicky
We investigated Schottky diode hydrogen sensors prepared by printing colloidal graphite on ZnO, GaN, and InP substrates partly covered with Pt nanoparticles. A layer of Pt nanoparticles deposited by in-situ pulsed electrophoretic deposition from isooctane colloidal solutions was inserted between the semimetal graphite and the semiconductor surface to dissociate hydrogen molecules. Schottky diodes were investigated by the measurement of current-voltage characteristics and further tested for their sensitivity to hydrogen in a cell with a through-flow gas system. The sensing elements were sensitive to gas mixture with a low hydrogen concentration down to 1 ppm
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/OC10021" target="_blank" >OC10021: Výzkum kovových nanočástic elektroforeticky deponovaných na polovodičové sloučeniny III-V-N</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Materials and Applications for Sensors and Transducers II ( Key Engineering Materials 543)
ISBN
9783037856161
ISSN
1013-9826
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
159-162
Název nakladatele
TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
Místo vydání
ZURICH
Místo konání akce
Budapest
Datum konání akce
24. 5. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000319023100039