Influence of the Interaction Between Graphite and Polar Surfaces of ZnO on the Formation of Schottky Contact

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F18%3A00499943" target="_blank" >RIV/67985882:_____/18:00499943 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-018-6244-3" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s11664-018-6244-3</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-018-6244-3" target="_blank" >10.1007/s11664-018-6244-3</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Influence of the Interaction Between Graphite and Polar Surfaces of ZnO on the Formation of Schottky Contact

Popis výsledku v původním jazyce

e show that the interaction between graphite and polar surfaces of ZnO affects electrical properties of graphite/ZnO Schottky junctions. A strong interaction of the Zn-face with the graphite contact causes interface imperfections and results in the formation of laterally inhomogeneous Schottky contacts. On the contrary, high quality Schottky junctions form on the O-face, where the interaction is significantly weaker. Charge transport through the O-face ZnO/graphite junctions is well described by the thermionic emission model in both forward and reverse directions. We further demonstrate that the parameters of the graphite/ZnO Schottky diodes can be significantly improved when a thin layer of ZnO2 forms at the interface between graphite and ZnO after hydrogen peroxide surface treatment

Název v anglickém jazyce

Influence of the Interaction Between Graphite and Polar Surfaces of ZnO on the Formation of Schottky Contact

Popis výsledku anglicky

e show that the interaction between graphite and polar surfaces of ZnO affects electrical properties of graphite/ZnO Schottky junctions. A strong interaction of the Zn-face with the graphite contact causes interface imperfections and results in the formation of laterally inhomogeneous Schottky contacts. On the contrary, high quality Schottky junctions form on the O-face, where the interaction is significantly weaker. Charge transport through the O-face ZnO/graphite junctions is well described by the thermionic emission model in both forward and reverse directions. We further demonstrate that the parameters of the graphite/ZnO Schottky diodes can be significantly improved when a thin layer of ZnO2 forms at the interface between graphite and ZnO after hydrogen peroxide surface treatment

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Electronic Materials

ISSN

0361-5235

e-ISSN

—

Svazek periodika

47

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

5002-5006

Kód UT WoS článku

000458770800014

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85044445882