Characterization of Graphite/ZnO Schottky Barriers Formed on Polar and Nonpolar ZnO Surfaces

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F19%3A00507811" target="_blank" >RIV/67985882:_____/19:00507811 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.201800734" target="_blank" >https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.201800734</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201800734" target="_blank" >10.1002/pssa.201800734</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Characterization of Graphite/ZnO Schottky Barriers Formed on Polar and Nonpolar ZnO Surfaces

Popis výsledku v původním jazyce

The authors demonstrate that the electrical properties of Schottky junctions fabricated by the deposition of colloidal graphite strongly depend on the crystallographic orientation of the ZnO substrate. The current-voltage, capacitance-voltage, and impedance measurements indicate that near-ideal Schottky junctions form on c-plane, while on a- and m-plane the junctions are laterally inhomogeneous. This behavior is assigned to higher concentration of native point defects in the near-surface region of nonpolar ZnO substrates. The authors further present an extended equivalent circuit model, which corresponds to actual structure of the junctions, and sheds light on their electrical transport properties

Název v anglickém jazyce

Characterization of Graphite/ZnO Schottky Barriers Formed on Polar and Nonpolar ZnO Surfaces

Popis výsledku anglicky

The authors demonstrate that the electrical properties of Schottky junctions fabricated by the deposition of colloidal graphite strongly depend on the crystallographic orientation of the ZnO substrate. The current-voltage, capacitance-voltage, and impedance measurements indicate that near-ideal Schottky junctions form on c-plane, while on a- and m-plane the junctions are laterally inhomogeneous. This behavior is assigned to higher concentration of native point defects in the near-surface region of nonpolar ZnO substrates. The authors further present an extended equivalent circuit model, which corresponds to actual structure of the junctions, and sheds light on their electrical transport properties

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/GA17-00546S" target="_blank" >GA17-00546S: Studium optoelektronických vlastností hybridních heterostruktur.</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi. A

ISSN

1862-6300

e-ISSN

—

Svazek periodika

216

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1800734

Kód UT WoS článku

000456684300018

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85057035189