Homogeneous Resistive Switching in Individual ZnO Nanorod p-n Junctions

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F19%3A00523535" target="_blank" >RIV/67985882:_____/19:00523535 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/SMICND.2019.8923637" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/SMICND.2019.8923637</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/SMICND.2019.8923637" target="_blank" >10.1109/SMICND.2019.8923637</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Homogeneous Resistive Switching in Individual ZnO Nanorod p-n Junctions

Popis výsledku v původním jazyce

Electrical properties of a single vertically-oriented n-ZnO nanorod on a p-GaN substrate are investigated by measuring their current-voltage characteristics. The current-voltage characteristics are measured using nanoprobe in the high vacuum chamber of a scanning electron microscope. The observed changes of the resistivity are attributed to the field induced change of the potential barrier at the p-n function interface

Název v anglickém jazyce

Homogeneous Resistive Switching in Individual ZnO Nanorod p-n Junctions

Popis výsledku anglicky

Electrical properties of a single vertically-oriented n-ZnO nanorod on a p-GaN substrate are investigated by measuring their current-voltage characteristics. The current-voltage characteristics are measured using nanoprobe in the high vacuum chamber of a scanning electron microscope. The observed changes of the resistivity are attributed to the field induced change of the potential barrier at the p-n function interface

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE (CAS 2019)

ISBN

978-1-7281-1888-8

ISSN

1545-827X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

289-292

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

NEW YORK

Místo konání akce

Sinaia

Datum konání akce

9. 10. 2019

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000514295300061