Focused ion beam assisted prototyping of graphene/ZnO devices on Zn-polar and O-polar faces of ZnO bulk crystals
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F22%3A00562514" target="_blank" >RIV/67985882:_____/22:00562514 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1016/j.physe.2021.115006" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.physe.2021.115006</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2021.115006" target="_blank" >10.1016/j.physe.2021.115006</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Focused ion beam assisted prototyping of graphene/ZnO devices on Zn-polar and O-polar faces of ZnO bulk crystals
Popis výsledku v původním jazyce
We demonstrate an experimental approach for prototyping heterojunctions formed between graphene and bulk semiconductor substrates. This approach employs focused ion beam milling to fabricate microscale area heterojunctions and in-situ electrical measurements in the chamber of the scanning electron microscope to measure their electrical characteristics. The aim is to limit the impact of defects in graphene on the electrical characteristics of the junctions. The approach is demonstrated on graphene/ZnO structures with different polar faces. On these structures, theoretical predictions pointing to differences in charge transport are experimentally validated
Název v anglickém jazyce
Focused ion beam assisted prototyping of graphene/ZnO devices on Zn-polar and O-polar faces of ZnO bulk crystals
Popis výsledku anglicky
We demonstrate an experimental approach for prototyping heterojunctions formed between graphene and bulk semiconductor substrates. This approach employs focused ion beam milling to fabricate microscale area heterojunctions and in-situ electrical measurements in the chamber of the scanning electron microscope to measure their electrical characteristics. The aim is to limit the impact of defects in graphene on the electrical characteristics of the junctions. The approach is demonstrated on graphene/ZnO structures with different polar faces. On these structures, theoretical predictions pointing to differences in charge transport are experimentally validated
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA20-24366S" target="_blank" >GA20-24366S: Studium mechanizmů transportu náboje přechodu grafen-polovodič</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
ISSN
1386-9477
e-ISSN
1873-1759
Svazek periodika
136
Číslo periodika v rámci svazku
February
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
115006
Kód UT WoS článku
000712093100004
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85116904652