Effect of rare earth addition on liguid phase epitaxial InP-based semiconductor layers.
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F99%3A13990105" target="_blank" >RIV/67985882:_____/99:13990105 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effect of rare earth addition on liguid phase epitaxial InP-based semiconductor layers.
Popis výsledku v původním jazyce
Original scientific paper dealing with Effect of rare earth addition on liguid phase epitaxial InP-based semiconductor layers.
Název v anglickém jazyce
Effect of rare earth addition on liguid phase epitaxial InP-based semiconductor layers.
Popis výsledku anglicky
Original scientific paper dealing with Effect of rare earth addition on liguid phase epitaxial InP-based semiconductor layers.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
1999
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Materials Science & Engineering - B. Solid State Mater for Advanced Technology
ISSN
0921-5107
e-ISSN
—
Svazek periodika
B66
Číslo periodika v rámci svazku
1/3
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—