Synthesis of High Purity Si3N4 and SiC Powders by CVD Method.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081715%3A_____%2F03%3A25033047" target="_blank" >RIV/68081715:_____/03:25033047 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Synthesis of High Purity Si3N4 and SiC Powders by CVD Method.
Popis výsledku v původním jazyce
Fine, sub-micrometer, amorphous powders of SiC and Si3N4 have been prepared from SiH4 - NH3 and C2H2 - SiH4 gaseous systems respectively, in a tubular flow reactor. The particle size of powders prepared at 1373 K is in the range of 50 - 150 nm and 10 to100 nm for Si3N4 and SiC, respectively. The content of metal impurities (Al, Cr, Cu and Fe) in the presented powders is one order of magnitude lower compared to the commercially available powders prepared by other methods.
Název v anglickém jazyce
Synthesis of High Purity Si3N4 and SiC Powders by CVD Method.
Popis výsledku anglicky
Fine, sub-micrometer, amorphous powders of SiC and Si3N4 have been prepared from SiH4 - NH3 and C2H2 - SiH4 gaseous systems respectively, in a tubular flow reactor. The particle size of powders prepared at 1373 K is in the range of 50 - 150 nm and 10 to100 nm for Si3N4 and SiC, respectively. The content of metal impurities (Al, Cr, Cu and Fe) in the presented powders is one order of magnitude lower compared to the commercially available powders prepared by other methods.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CB - Analytická chemie, separace
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)