Transition from amorphous silicon to silicon nitride in thin films deposited by PECVD technology from silane diluted with nitrogen

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43925055" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43925055 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2014.6998644" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2014.6998644</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2014.6998644" target="_blank" >10.1109/ASDAM.2014.6998644</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Transition from amorphous silicon to silicon nitride in thin films deposited by PECVD technology from silane diluted with nitrogen

Popis výsledku v původním jazyce

Serries of a-SiN:H thin films similar in thickness (380 +- 10 nm) and a-Si:H/a-Si3N4 multi-layered films (515 +- 20 nm) were prepared by PECVD technology from silane mixed with argon (90 % Ar/10 % SiH4) on Corning Eagle 2000 glass, SiO2 and silicon substrates. Deposition of thin films was carried out on a Samco PD 220 NA PECVD system. Multi-layered films were consequently annealed at high temperatures (700 - 1100 °C) in order to obtain silicon nano-crystals embedded in a dielectric matrix suitable for photovoltaic and photonic applications. X-ray diffraction, Raman and FTIR spectroscopies, TEM, SEM, UV Vis spectrophotometry and spectroscopic ellipsometry were used for the evaluation of material properties of the films

Název v anglickém jazyce

Transition from amorphous silicon to silicon nitride in thin films deposited by PECVD technology from silane diluted with nitrogen

Popis výsledku anglicky

Serries of a-SiN:H thin films similar in thickness (380 +- 10 nm) and a-Si:H/a-Si3N4 multi-layered films (515 +- 20 nm) were prepared by PECVD technology from silane mixed with argon (90 % Ar/10 % SiH4) on Corning Eagle 2000 glass, SiO2 and silicon substrates. Deposition of thin films was carried out on a Samco PD 220 NA PECVD system. Multi-layered films were consequently annealed at high temperatures (700 - 1100 °C) in order to obtain silicon nano-crystals embedded in a dielectric matrix suitable for photovoltaic and photonic applications. X-ray diffraction, Raman and FTIR spectroscopies, TEM, SEM, UV Vis spectrophotometry and spectroscopic ellipsometry were used for the evaluation of material properties of the films

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BE - Teoretická fyzika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Conference Proceedings - 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2014

ISBN

978-1-4799-5474-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

53-56

Název nakladatele

Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Smolenice Castle

Datum konání akce

20. 10. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—