Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Segregace na povrchu a na hranicích zrn ve slitině Fe-3%Si

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081723%3A_____%2F04%3A00108331" target="_blank" >RIV/68081723:_____/04:00108331 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Surface and grain boundary segregation in Fe-3%Si alloy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The surface segregation of Fe-3%Si alloy was studied using X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) with synchrotron radiation at 150 eV photon beam energy (Si 2p). During Ar+ ion sputtering and following heat treatment SiO2 layer and segregation of Si atoms in three clearly resolved phases occurred. This indicates silicides formation, mainly Fe3Si superstructure. Silicon nitride layer was created by the nitrogen ion implantation. The structure and atomic ordering in a surface layer of the samples (approx. 300 nm thick) was checked by Conversion Electron Mössbauer Spectroscopy (CEMS). Simultaneously emission Mössbauer spectroscopy was used for investigation of Si concentration and atomic ordering at grain boundaries

  • Název v anglickém jazyce

    Surface and grain boundary segregation in Fe-3%Si alloy

  • Popis výsledku anglicky

    The surface segregation of Fe-3%Si alloy was studied using X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) with synchrotron radiation at 150 eV photon beam energy (Si 2p). During Ar+ ion sputtering and following heat treatment SiO2 layer and segregation of Si atoms in three clearly resolved phases occurred. This indicates silicides formation, mainly Fe3Si superstructure. Silicon nitride layer was created by the nitrogen ion implantation. The structure and atomic ordering in a surface layer of the samples (approx. 300 nm thick) was checked by Conversion Electron Mössbauer Spectroscopy (CEMS). Simultaneously emission Mössbauer spectroscopy was used for investigation of Si concentration and atomic ordering at grain boundaries

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GV202%2F98%2FK002" target="_blank" >GV202/98/K002: Měřící stanice pro materiálový výzkum s použitím synchrotronového záření</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2004

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Soft Magnetic Materials /16./

  • ISBN

    3-574-00711-X

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    469-474

  • Název nakladatele

    Verlag Stahleisen GmbH

  • Místo vydání

    Düsseldorf

  • Místo konání akce

    Düsseldorf

  • Datum konání akce

    9. 9. 2003

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku