X-ray scattering study of oxide precipitates in Cz-Si

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081723%3A_____%2F10%3A00421391" target="_blank" >RIV/68081723:_____/10:00421391 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

X-ray scattering study of oxide precipitates in Cz-Si

Popis výsledku v původním jazyce

Two x-ray diffraction methods were used for characterization of the oxide precipitates in Czochralski silicon series of samples. The maping of the diffuse scattering around reciprocal lattice point in Bragg geometry and the simultaneous measurement of the diffracted and transmitted beam intensity in the Laue diffraction geometry.

Název v anglickém jazyce

X-ray scattering study of oxide precipitates in Cz-Si

Popis výsledku anglicky

Two x-ray diffraction methods were used for characterization of the oxide precipitates in Czochralski silicon series of samples. The maping of the diffuse scattering around reciprocal lattice point in Bragg geometry and the simultaneous measurement of the diffracted and transmitted beam intensity in the Laue diffraction geometry.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

SILICON 2010. 12th Scientific and Business Conference

ISBN

978-80-254-7361-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

TECON Scientific, s.r.o.

Místo vydání

Rožnov pod Radhoštěm

Místo konání akce

Rožnov pod Radhoštěm

Datum konání akce

2. 11. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—