Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081723%3A_____%2F10%3A00421395" target="_blank" >RIV/68081723:_____/10:00421395 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature

Popis výsledku v původním jazyce

In this work we study two stage and three stage annealing processes with application of Tabula rasa. The evolution of precipitates at various phases during annealing process for various temperatures was obtained from series of experimental techniques.

Název v anglickém jazyce

Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature

Popis výsledku anglicky

In this work we study two stage and three stage annealing processes with application of Tabula rasa. The evolution of precipitates at various phases during annealing process for various temperatures was obtained from series of experimental techniques.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

SILICON 2010. 12th Scientific and Business Conference

ISBN

978-80-254-7361-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

TECON Scientific, s.r.o.

Místo vydání

Rožnov pod Radhoštěm

Místo konání akce

Rožnov pod Radhoštěm

Datum konání akce

2. 11. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—