Influence of Microstructure Instability on Creep Behaviour of UFG Pure Materials

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081723%3A_____%2F12%3A00385915" target="_blank" >RIV/68081723:_____/12:00385915 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Influence of Microstructure Instability on Creep Behaviour of UFG Pure Materials

Popis výsledku v původním jazyce

Experiments were conducted to determine an effect of creep temperature on creep behaviour of pure Cu. The ECAP pressing was performed at room temperature by route Bc. Constant load creep tests in tension were conducted at 373-573 K under different stresses. The values of the stress exponent n of the minimum creep rate for ultrafine-grained (UFG) and coarse-grained material were determined. Microstructure of samples was characterized by transmission electron microscope (TEM) and scanning electron microscope (SEM) equipped with the electron backscatter unit (EBSD). The microstructure analyses showed that microstructure of pure Cu processed by 8 ECAP passes and subsequent creep exposure contained large fraction of boundaries with coincidence sites lattice(CSL). The results showed that creep in UFG materials is influenced by additional creep mechanisms up to 0.5 Tm when the UFG microstructure in more or less stable.

Název v anglickém jazyce

Influence of Microstructure Instability on Creep Behaviour of UFG Pure Materials

Popis výsledku anglicky

Experiments were conducted to determine an effect of creep temperature on creep behaviour of pure Cu. The ECAP pressing was performed at room temperature by route Bc. Constant load creep tests in tension were conducted at 373-573 K under different stresses. The values of the stress exponent n of the minimum creep rate for ultrafine-grained (UFG) and coarse-grained material were determined. Microstructure of samples was characterized by transmission electron microscope (TEM) and scanning electron microscope (SEM) equipped with the electron backscatter unit (EBSD). The microstructure analyses showed that microstructure of pure Cu processed by 8 ECAP passes and subsequent creep exposure contained large fraction of boundaries with coincidence sites lattice(CSL). The results showed that creep in UFG materials is influenced by additional creep mechanisms up to 0.5 Tm when the UFG microstructure in more or less stable.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JJ - Ostatní materiály

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GPP108%2F10%2FP469" target="_blank" >GPP108/10/P469: Vliv výchozí krystalografické orientace na creepové chování SPD materiálů</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

METAL 2012 Conference Proceedings

ISBN

978-80-87294-31-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

TANGER Ltd. Ostrava

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

23. 5. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—