Study of Nitride Silicon Membrane for Pressure Sensors.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F00%3A12010062" target="_blank" >RIV/68081731:_____/00:12010062 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of Nitride Silicon Membrane for Pressure Sensors.

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents results of study of membrane distortion obtained by measuring membrane deflection in several cross sections by means of Talystep scanning profiler and by a new designed optical diffractive method. Mentioned methods were applied for analyses of diaphragms fabricated using LPCVD Si 3 N 4 layers with 150 nm thick layer deposited on silicon substrate with crystallographic orientation (100). As a result there are space models of distortion of the whole membrane surface caused by known pressure acting to the membrane. Those models are exploited to optimize design of pressure sensor and modeling and simutation of its properties.

Název v anglickém jazyce

Study of Nitride Silicon Membrane for Pressure Sensors.

Popis výsledku anglicky

This paper presents results of study of membrane distortion obtained by measuring membrane deflection in several cross sections by means of Talystep scanning profiler and by a new designed optical diffractive method. Mentioned methods were applied for analyses of diaphragms fabricated using LPCVD Si 3 N 4 layers with 150 nm thick layer deposited on silicon substrate with crystallographic orientation (100). As a result there are space models of distortion of the whole membrane surface caused by known pressure acting to the membrane. Those models are exploited to optimize design of pressure sensor and modeling and simutation of its properties.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F00%2F0938" target="_blank" >GA102/00/0938: Tlakový analyzátor</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2000

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings - Electronic Devices and Systems Y2K - Intensive Training Programme in Electronic System Design - Workshop.

ISBN

80-214-1780-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

310-315

Název nakladatele

Technical University Brno

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno [CZ]

Datum konání akce

4. 9. 2000

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—