Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Means of Pressure Analysis using Nitride Silicon Diaphragm.

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F01%3A12020164" target="_blank" >RIV/68081731:_____/01:12020164 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Means of Pressure Analysis using Nitride Silicon Diaphragm.

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper presents results obtained by measuring nitride diaphragm deflection in several cross sections by means of Talystep scanning profiler and by a new designed optical diffractive method. Mentioned methods were applied for analyses of diaphragms fabricated using LPCVD Si.sub.3./sub.N.sub.4./sub. layers with 150 nm thick layer deposited on silicon substrate with crystallographic orientation (100), As a result there are space models of distortion of the whole diaphragm surface caused by known pressure acting to the diaphragm. Those models are exploited to optimize design of pressure sensor and modelling and simulation of its properties.

  • Název v anglickém jazyce

    Means of Pressure Analysis using Nitride Silicon Diaphragm.

  • Popis výsledku anglicky

    This paper presents results obtained by measuring nitride diaphragm deflection in several cross sections by means of Talystep scanning profiler and by a new designed optical diffractive method. Mentioned methods were applied for analyses of diaphragms fabricated using LPCVD Si.sub.3./sub.N.sub.4./sub. layers with 150 nm thick layer deposited on silicon substrate with crystallographic orientation (100), As a result there are space models of distortion of the whole diaphragm surface caused by known pressure acting to the diaphragm. Those models are exploited to optimize design of pressure sensor and modelling and simulation of its properties.

Klasifikace

  • Druh

    C - Kapitola v odborné knize

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2001

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název knihy nebo sborníku

    Advances in Systems Science: Measurement, Circuits and Control.

  • ISBN

    960-8052-39-4

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    70-73

  • Počet stran knihy

  • Název nakladatele

    WSES Press

  • Místo vydání

    Piraeus

  • Kód UT WoS kapitoly