Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

SEM visualization of doping in semiconductors.

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F02%3A12020102" target="_blank" >RIV/68081731:_____/02:12020102 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    SEM visualization of doping in semiconductors.

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Any image contrast, visualizing the doped domains in semiconductor structures, is excluded within the class of conventional materials contrasts mediated by backscattered electrons (BSE) because of the relative dopant concentration not exceeding 10.sup.-5./sup. or 10.sup.-4./sup.. The doping canbe observed in the secondary electron (SE) signal with a contrast, mostlynot exceeding the range of units of percent. The contrast origin was seenin differences in the ionization energy between p and n type material.

  • Název v anglickém jazyce

    SEM visualization of doping in semiconductors.

  • Popis výsledku anglicky

    Any image contrast, visualizing the doped domains in semiconductor structures, is excluded within the class of conventional materials contrasts mediated by backscattered electrons (BSE) because of the relative dopant concentration not exceeding 10.sup.-5./sup. or 10.sup.-4./sup.. The doping canbe observed in the secondary electron (SE) signal with a contrast, mostlynot exceeding the range of units of percent. The contrast origin was seenin differences in the ionization energy between p and n type material.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/IAA1065901" target="_blank" >IAA1065901: Vlnově optické kontrasty v rastrovacím elektronovém mikroskopu</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2002

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of 15th international congress on electron microscopy.

  • ISBN

    0-620-29294-6

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

    39-40

  • Název nakladatele

    Microscopy society of Southern Africa

  • Místo vydání

    Durban

  • Místo konání akce

    Durban [ZA]

  • Datum konání akce

    1. 9. 2002

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku