Medoty analýzy povrchů. Iontové, sondové a speciální metody.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F02%3A12020113" target="_blank" >RIV/68081731:_____/02:12020113 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Medoty analýzy povrchů. Iontové, sondové a speciální metody.

Popis výsledku v původním jazyce

Touto knihou ke čtenářům přichází třetí díl řady 'Metody analýzy povrchů'. První díl - Elektronová spektroskopie - přinesl, vedle informací o související přístrojové technice a metodách zpracování výsledků, kapitoly o fotoelektronových spektroskopiích (UPS a XPS), analytické aplikaci Augenova jevu (AES), spektroskopii prahových potenciálů (APS), o spektroskopii vzdálené jemné struktury rentgenové absorpce (EXAFS) a rentgenové absorbce v blízkosti absorpční hrany (XANS) a kapitolu o autoemisní elektronové spektroskopii. Druhý díl pak byl věnován fyzikálním základům, technice a aplikacím elektronové mikroskopie, mikroskopii na bázi tunelového jevu, matematickým základům teorie difrakce, základům a experimentální realizaci difrakce pomalých elektronů (LEED) a difrakci rychlých elektronů na odraz (RHEED). Tento třetí díl navazuje na oba předcházející a přináší informace o základech techniky a metod analytických aplikací iontových svazků i o metodách využívajících rastrující lokální sondu.

Název v anglickém jazyce

Methods of surface analysis. Ion, probe and special methods.

Popis výsledku anglicky

The book is third from a series called ôMethods of surface analysisö. Itsfirst part ů ôElectron microscopyö has presented chapters about photo-electron spectroscopy (UPS and XPS), analytic application of Auger phenomena (AES), spectroscopy of threshold potentials (APS), spectroscopy of remote fine structure of x-ray absorption (EXAFS) and x-ray absorption the absorption edge (XANES) and a chapter about field-emission electron spectroscopy. The second part is devoted to physical basis, technique and applicationsof electron microscopy, microscopy of tunnel phenomena, mathematical basis of diffraction theory, to basis and experimental realization of diffraction of slow electrons (LEED) and diffraction of quick electrons to reflection (RHEED). The third part brings information about basis of the technique and methods of analytical application of ion beams as well as methods exploiting scanning local probe and its applications.

Druh

B - Odborná kniha

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

ISBN

—

Počet stran knihy

485

Název nakladatele

Academia

Místo vydání

Praha

Kód UT WoS knihy

—